Corriente de base y relación Vce en las características de salida del transistor NPN

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Con respecto a la región activa de un transistor NPN y las curvas de salida, para un Ib fijo cuando se aumenta el Vce, aumenta el Ic; es decir, efecto temprano.

LarazónsinomeequivocoesqueelaumentoenVcehacequelabaseseamásdelgada.

¿Cómopodemosderivarlógicamenteelrestodeaquí?

Estoesloqueasumocuandoveolascaracterísticasdesalida:

  

Vceaumenta->Labaseseadelgaza--->Larecombinaciónenlabaseocurremenos.  porlotanto,Ibtiendeadisminuir--->MantenerelmismoVbeIbes  aumentado->IcaumentaporqueesdirectamenteunafuncióndeVbe

Perohayunaparteenmisargumentoslógicosquees:"La recombinación en la base ocurre menos, por lo tanto, Ib tiende a disminuir".

Pero la corriente de base no solo ocurre debido a la recombinación, sino también porque los orificios de la base se difunden hacia el emisor. Y para mí, si la base se vuelve más delgada, la difusión debería ser más fácil e Ib tiende a aumentar.

Así que mi confusión es cuando aumenta el Vce. Ib tiende tanto a disminuir como a aumentar. Eso entonces invalida mi lógica.

¿En qué me equivoco?

    
pregunta cm64

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La región de agotamiento dentro de la base se amplía al aumentar el voltaje del colector. Debido a esto, el ancho de la base neutra se reduce. Esto lleva a una corriente de recombinación de base reducida ( \ $ I_ {Br} \ $ ). Ahora pensemos qué pasa con la corriente de colector y la corriente de base.

  1. Dado que los electrones (portadores mayoritarios) inyectados desde el emisor experimentan menos recombinación en la base, la corriente del colector aumenta.

  2. Como la corriente de recombinación se está reduciendo, la inyección posterior de los orificios (portadores minoritarios) desde la base hasta el emisor aumentará para mantener la corriente de base fija. Esto aumenta ligeramente el voltaje del emisor de base.

Creo que has mezclado ligeramente los dos puntos anteriores.

    
respondido por el nidhin

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