Noté una pregunta relacionada con la polaridad de mosfet aquí y me pregunté si un mosfet de cuatro terminales se comportaría de la misma manera bajo polaridad invertida. Dado que los cuatro mosfet terminales no tienen diodo interno (creo), no veo cómo podría haber una distinción entre la fuente y el drenaje. ¿Es esto cierto?
Sería posible construir un MOSFET de cuatro terminales que sea simétrico, con la fuente y el drenaje de hecho intercambiables. Por otro lado, incluso con un dispositivo de cuatro terminales, una forma no simétrica puede permitir mejorar el rendimiento en una dirección más allá de lo que sería posible con un dispositivo simétrico. Un MOSFET integrado en un chip a menudo tendrá una puerta que se limita a un solo plano sobre el canal activo, pero los MOSFET de potencia tienen estructuras tridimensionales mucho más complicadas que generalmente favorecen los diseños no simétricos.
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