Transistor como interruptor

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Transistor como interruptor

#1 de krb686 (1 votos)
#2 de Felipe_Ribas (0 votos)
#3 de Martin (0 votos)

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En los últimos días pasé trabajando con transistores NPN y midiendo sus características. Mi objetivo era medir VBE e IE cuando el transistor se activaría (transistor como interruptor). Para todas las pruebas V _CE = 3.3V.

Empecé con S9013. Tengo datos como estos:

VBE=0.5V ; IE = 0.007mA
VBE=0.6V ; IE = 0.05mA
VBE=0.8V ; IE = 100mA

(hay un salto de 0.6V a 0.8V cuando el transistor está encendido)

Cuando intenté medir lo mismo para BC546B, obtuve:

VBE = 0.5V ; IE = 0.004mA
VBE = 0.6V ; IE = 0.17mA

alrededor de V _BE = 0.68V, el transistor se apagó y V _BE comenzó a saltar de valores negativos a positivos.

Según una hoja de datos V _{BE (SAT)} = 0.7V; V _{BE (ON)} = 0.55-0.7V.

¿Podría alguien explicarme lo que pasó? El transistor era nuevo. No esperaría que estuviera roto.

Actualizar. Responda las preguntas en los comentarios: No hay resistencia para limitar la corriente a través del diodo led. Consideré la resistencia del diodo como factor limitante para la corriente. El caso del transistor no estaba caliente. La corriente era demasiado pequeña durante la medición.

transistors npn

pregunta Samot

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De su pregunta, solo ha mostrado 2 puntos de datos para su transistor BC546B. Si observa la hoja de datos, aquí están las características eléctricas, específicamente el emisor de base en voltaje

Entonces, el mínimo es 0.55, y el máximo es 0.7 a 0.77. La hoja de datos del fabricante garantiza que su transistor estará en algún lugar dentro de ese rango.

En este momento, solo nos has mostrado 0.5V y 0.6V para Vbe.

También recomendaría medir la corriente base, Ib .

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Creo que deberías reemplazar este diodo por una resistencia cuyo valor permitirá que el transistor tenga una corriente alta (cerca de la corriente máxima admitida por el transistor). De esta manera, puede proteger su forma de transistor con respecto a la corriente (daño) y todavía puede observar lo que desea. Aún notará en qué punto saltará a esta corriente máxima cambiando Vbe.

Dado que el diodo no es un elemento óhmico, creo que es más difícil ver lo que quieres. No tienes una relación lineal VxI. Tenga en cuenta que el segundo transistor funciona con corrientes más altas que el primero. De esta manera, la tensión a través del diodo también variará de una manera diferente.

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Como mencionó Passerby, las hojas de datos nunca son ideales. La única información que generalmente extraigo de ellos es la calificación máxima. Me he encontrado con hojas de datos de GaAs RF Fets donde el gráfico de parámetros de dispersión estaba completamente equivocado (se vuelve capacitivo con la frecuencia).

Si pretende usarlo como interruptor, ¿por qué medir su punto de inflexión? Me imagino que se manejaría con una fuente de 3V o 5V MCU o algún tipo de disposición "on / off" en la base. Si este es el caso, entonces el punto de inflexión es irrelevante, ya que lo ideal sería saturarlo.

En General, trato de usar FETs como interruptores. Su alta impedancia de compuerta es ideal para los requisitos mínimos de la unidad y con un Qg bajo, pueden ser una corriente muy rápida y mucho más significativa para una carga.

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