¿Cómo es más alto el voltaje de ruptura de la configuración de base común que el de la configuración de emisor común?
en la base común, el desglose es más o menos similar al desglose de la unión PN. Por favor, explique cómo se produce la ruptura en la configuración de emisor común? Leí debido a la amplificación del transistor, la falla del emisor común tiene menos valor que la ruptura de la unión PN. Se necesita más explicación para entender claramente.
Para la configuración de base común, la base es común ("puesta a tierra") y la tensión de ruptura de la base del colector se determina con el emisor abierto, por lo que, al escribir, la tensión de ruptura es esencialmente la de una unión PN. / p>
Para la configuración de emisor común, el emisor es común y la tensión de ruptura del emisor-colector se determina con la base abierta. En este modo, la modulación del ancho de la base y los efectos de ionización de impacto mejoran la descomposición de la avalancha de la unión colector-base que conduce a una menor tensión de ruptura.
Consulte, por ejemplo, this .
En el esquema del emisor común, la corriente CB inversa fluye a través de la unión BE abierta y se amplifica por el factor h21e. De esta manera, la corriente del colector aumenta h21e veces más rápido que en la configuración de base común y la descomposición por avalancha ocurrirá en voltajes más bajos.
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