Tres requisitos importantes vienen a la mente.
Los MOSFET pueden soportar solo tanto voltaje de la fuente de drenaje sin descomponerse. Necesita que esto sea al menos el voltaje de suministro, más un margen saludable para la robustez. Esto se especificará en la sección de máximos absolutos de la hoja de datos, generalmente como \ $ V_ {DS (max)} \ $
Cada MOSFET tiene un voltaje de compuerta diferente al que está diseñado para funcionar. Si el voltaje de la compuerta es demasiado bajo, el MOSFET no está completamente activado y no funciona bien como usted lo desea. Si es demasiado alto, rompes el aislamiento de la puerta y sale humo. Deberá elegir un MOSFET con un voltaje de compuerta compatible con el controlador que está usando. De una breve lectura de la hoja de datos de LTC4414, parece que esto es de -8V a -9V.
Por último, ningún MOSFET es un conductor perfecto cuando está encendido. El canal conductor tiene cierta resistencia, y la corriente a través de esta resistencia produce calor de acuerdo con la ley de Joule: \ $ P = I ^ 2 R \ $. Necesita un MOSFET con una resistencia lo suficientemente baja como para que el calor sea manejable a la máxima corriente que se extraerá de sus baterías. La hoja de datos del MOSFET usualmente especificará una corriente máxima, pero esto generalmente asume un disipador de calor ilimitado. Es mejor observar la resistencia (\ $ R_ {DS (on)} \ $), calcular las pérdidas y realizar un diseño térmico adecuado, dado su espacio para un disipador de calor y pérdidas permitidas (que reducen el tiempo de batería).
Hecho relevante tangencialmente: los electrones tienen mayor movilidad que los orificios, por lo que un MOSFET de canal N tendrá un \ $ R_ {DS (encendido)} \ $ más bajo que un MOSFET de canal P de tamaño y tamaño de matriz similares. Dependiendo de sus requisitos de costo y rendimiento, es posible que desee investigar los controladores que pueden manejar un MOSFET de canal N en el lado alto, o reorganizar su circuito para desconectar la batería del lado de tierra, donde puede usar un MOSFET de canal N , si eso es aceptable para su aplicación.
