Entonces, mientras estoy investigando VSLI básico, hice un divisor de voltaje simple en Electric usando resistores N-Well. Esperaba entender: ¿Por qué un N-pozo actúa como una resistencia? Una referencia a una mejor información de la que estoy recibiendo actualmente sería suficiente.
Además, me preguntaba si la resistencia sería un factor de profundidad o concentración del pozo n.
Se puede usar cualquier difusión en el silicio para hacer una resistencia, pero el pozo N se usa a menudo porque tiene una resistencia por cuadrado mucho mayor en comparación con las difusiones de fuente / drenaje. Sí, la resistencia es una función tanto de la profundidad como de la concentración. El aumento de la concentración o la profundidad disminuirá la resistencia de la lámina del pozo, y todos los demás factores se mantendrán sin cambios.
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