El óxido de túnel de puerta flotante (FLOTOX) se utiliza en rom modificables eléctricamente. La tunelización de la carga se realiza a través de un túnel de óxido hacia la puerta flotante. ¿Cuál es el principio de funcionamiento de esto? ¿Cómo está diseñado para lograr operaciones de escritura, borrado y lectura?
En general, la tunelización de electrones se basa en el concepto mecánico cuántico de que la "función de onda" del electrón, una función que describe la probabilidad de encontrar el electrón en cualquier posición en particular, no termina abruptamente en la superficie de un conductor. (o semiconductor), pero puede extenderse completamente a través de una barrera que de otra manera sería infranqueable.
La corriente del túnel se puede controlar variando los potenciales eléctricos a cada lado de la puerta flotante, que cambia los campos eléctricos a través de la puerta y sus barreras de óxido circundantes, que a su vez afectan las funciones de onda de los electrones de banda de conducción cercanos. .
Si está preguntando acerca de las estructuras de electrodo y los protocolos de temporización específicos utilizados en un dispositivo en particular, en general, esa información se considera muy patentada para cada fabricante y no está disponible públicamente.
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