Transistor de diodo de modelado conectado en un amplificador diferencial

1

Tengo una pregunta sobre el análisis de ganancia en modo común del amplificador diferencial BTJ con carga activa en el libro de Sedra Smith. En este libro, la ganancia en modo diferencial \ $ Ad \ $ se deriva de la transconductancia \ $ Gm \ $ y la resistencia de salida \ $ Ro \ $, \ $ Av = Gm * Ro \ $. Estos están representados en la figura de abajo.

Observeeltransistor\$Q_3\$queestáconectadocomoundiodo.Enelcircuitoequivalente,\$Q_3\$serepresentacomolaresistencia(\$r_{e3}\$//\$r_{o3}\$).Donde\$r_{e3}\$representalaresistenciavistadesdeelemisor,y\$r_{o3}\$eslaresistenciatempranade\$Q_3\$.

Ahoraparaelanálisisenmodocomún,tenemoselsiguientecircuitoequivalenteparadeterminarlaganancia.Observeahoraqueeltransistordediodo\$Q_3\$estárepresentadoporlaresistencia(\$r_{e3}\$//\$r_\pi\$//\$r_{03}\$),donde\$r_\pi\$eslaresistenciadeentradade\$Q_3\$.

Mispreguntasson:¿Porquéseusa\$r_\pi\$pararepresentar\$Q_3\$enmodocomún?¿Estábienusar(\$r_{e3}\$//\$r_\pi\$//\$r_{o3}\$)paraelmododiferencialtambién?

    
pregunta user3084947

1 respuesta

1

Sin más contexto, no puedo responder a la pregunta de por qué se usan diferentes expresiones, pero tenga en cuenta que

$$ r_e = \ frac {1} {g_m} || r _ {\ pi} $$

por lo que las expresiones son, de hecho, equivalentes.

Para ver esto, recuerda

$$ r _ {\ pi} = \ frac {\ beta} {g_m} $$

Por lo tanto,

$$ \ frac {1} {g_m} || r _ {\ pi} = \ frac {r _ {\ pi}} {\ beta} || r _ {\ pi} = \ frac {r _ {\ pi} } {1 + \ beta} = r_e $$

    
respondido por el Alfred Centauri

Lea otras preguntas en las etiquetas