ganancia de voltaje en BJT

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Estoy leyendo el libro: Problemas & Solución de dispositivos electrónicos y amp; Circuitos, y en la página 119 me quedé perplejo.

Escriben eso:

$$ A_V = A_I \ cdot \ frac {Z_L} {Z_i} = \ cdots = \ frac {-h_f} {h_i (Y_L + h_o) -h_r h_f} $$

Y luego escriben eso para \ $ Y_L = \ infty \ $ \ $ A_V = \ frac {-h_f} {h_i h_o -h_r h_f} \ $

Donde \ $ A_V \ $ es la ganancia de voltaje, \ $ Y_L \ $ es la admisión de carga y los \ $ h \ $ 's son los parámetros \ $ h \ $.

Lo que no entiendo es por qué obtenemos la última relación cuando \ $ Y_L = \ infty \ $, no deberíamos obtener \ $ A_V = 0 \ para \ Y_L = \ infty \ $.

Quizás significaron para \ $ Z_L = 1 / Y_L \ $, \ $ Z_L = \ infty \ $, pero no es así como está escrito en el libro.

¿Puede alguien explicar?

    
pregunta MathematicalPhysicist

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Por supuesto, para infinito YL (cortocircuito) la ganancia es cero. Por lo tanto, tiene razón y los autores del libro cometieron un error (¿error tipográfico?). Sin ninguna resistencia de carga externa (ZL infinita), que se aplica, por ejemplo, a una inductancia muy (no realista) y una frecuencia alta correspondiente, la ganancia se aproximaría a un valor que está determinado por la resistencia de salida interna ro = 1 / ho de solo transistor Sin embargo, eso es solo un ejercicio teórico.

    
respondido por el LvW

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