Pérdida de datos de operación de lectura de F-RAM

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Tengo una pregunta relacionada con F-RAM. Usaré Cypress FM16W08 como ejemplo. Aquí hay un enlace a la hoja de datos: enlace

Recientemente lo he usado como reemplazo de una S-RAM con respaldo de batería DS1225 de Dallas que contiene las constantes de calibración en una fuente de alimentación de laboratorio. Pude leer el antiguo S-RAM y descargar el contenido en el nuevo F-RAM y está funcionando perfectamente.

Una cosa me confunde. Tengo entendido que cuando se lee una determinada dirección en F-RAM, los datos en esa dirección se pierden. Mientras que en S-RAM los datos permanecen después de una lectura.

Dado que el equipo no fue diseñado con F-RAM en mente y no está devolviendo los datos, ya que fue diseñado para usar S-RAM. ¿Estoy en lo cierto al suponer que F-RAM tiene circuitos internos para escribir automáticamente en sí mismo después de una lectura?

En la página 4 de la hoja de datos bajo el encabezado Resistencia. Creo que se refiere vagamente a esta operación como "un mecanismo de lectura y restauración", pero no estoy seguro.

Gracias por tu tiempo.

    
pregunta Krankshaft

1 respuesta

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Tengo entendido que cuando se lee una determinada dirección en F-RAM, los datos en esa dirección se pierden. Mientras que en S-RAM los datos permanecen después de una lectura.

Correcto. La lectura desde una celda ferroeléctrica implica forzar el material ferroeléctrico a una polaridad dada y ver si se produjo alguna excitación eléctrica a partir del cambio, en lugar de leer desde una celda SRAM que implica redirigir una cantidad mínima de corriente desde el cierre.

  

Dado que el equipo no fue diseñado con F-RAM en mente y no está devolviendo los datos, ya que fue diseñado para usar S-RAM. ¿Estoy en lo cierto al suponer que F-RAM tiene circuitos internos para escribir automáticamente en sí mismo después de una lectura?

También correcto. Los circuitos integrados F-RAM de Ramtron / Cypress están diseñados para ser reemplazos directos de los circuitos integrados SRAM, y esto solo se puede hacer si el propio IC contiene los circuitos para restaurar el valor almacenado en la celda antes de leer.

    
respondido por el Ignacio Vazquez-Abrams

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