¿Modelo de transistor MOSFET incorrecto? MultiSim

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Estoy diseñando un circuito que cambia entre 2 fuentes de alimentación, controladas por una MCU. El circuito es el siguiente.

Estoesparaunalíneadesuministrosimple,porloqueseduplicaráparaambosPS.

Comopuedever,cuandoelinterruptor(uC)estáconectadoatierra,NPNestáabiertoytengo23.9VenlapuertadeMOSFET,quecierraeldispositivo(VGS>2.4, enlace ) permitiendo el flujo de corriente desde el drenaje a la fuente y a la resistencia de CARGA, que representa la MCU y otros circuitos.

El amperímetro U4 muestra una corriente de 1.04A, que fluye a través del MOSFET, por lo que si tengo razón, el voltaje caído en el transistor es de aproximadamente 1.04xRds, y el Rds para este transistor es de aproximadamente 100 mohms. Pero el voltímetro U3 muestra que 3.1V se han caído a lo largo del transistor, lo que parece ser un valor enorme.

¿Estoy ignorando algún punto sobre el diseño? ¿Se trata del simulador?

Gracias de antemano.

    
pregunta jmigue

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Lo que construyes es un seguidor de la fuente que actúa como una copiadora de voltaje, copia el voltaje de la compuerta a la fuente (con una caída de Vgs en el voltaje).

Lo que se necesita para que Rds sea lo más bajo posible es que Vgs esté maximizado, por lo que la fuente debe estar conectada a tierra.

Alternativamente, puede usar un PMOS si los motivos deben ser comunes. Tenga en cuenta que la polaridad en la puerta del interruptor PMOS se invierte en comparación con un NMOS. Tenga en cuenta también que el circuito de PMOS es el mismo que el circuito de NMOS central, ¡pero al revés!

simular este circuito : esquema creado usando CircuitLab

    
respondido por el Bimpelrekkie

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