N03L Mosfets para controlador de tira LED

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Estoy salvando partes de computadoras viejas, leo la hoja de datos de esas partes y trato de entender las cosas importantes que construyen cosas. Si bien ahora entiendo algunas cosas cruciales sobre mosfets, hay muchas cosas que necesito aprender. De todos modos, estoy jugando con el tlc5940 (16ch 12bit led driver) y quería crear una iluminación "animada" para mi habitación. Ya he creado algunos controladores led con transistores, pero también mosfets. No a nivel lógico mosfets. Para hacerlo, necesitaba construir un circuito complejo de "Saturación" que involucra otros 2 transistores por Mosfet.

En mi tienda local de electrónica, solo tienen mosfets de mayor voltaje. También en los sitios web normalmente compro partes.

Los mosfets recuperados son todos de nivel lógico tipo N ... tan perfectos para la frambuesa y el Arduino. Puedo saturarlos correctamente, casi no hay caída de voltaje, son realmente rápidos y se hunden mucho.

Mi pregunta es:

Mirando la hoja de datos, no pude encontrar esa gran diferencia con respecto a cada mosfet diferente. Pero todos tienen otro número. Pensé en el amperaje, pero algunos mosfets de menor número tienen más amperios.

05N03L  = 80 Ampere
07N03L  = 30 Ampere
15N03L  = 42 Ampere
32N03L  = 50 Ampere
46N03L
55N03L
60N03L

¿Cuáles son esos 2 números delante del código?

N significa N-type, L significa nivel lógico ... 03?

Y la pregunta más importante:

Si uso diferentes tipos de esos mosfets con el tlc5940, ¿podría haber un problema SERIO o funcionaría bien?

nota: levante 10k cada canal, tlc con resistencia de 6,8k para dejar que se hunda lo suficiente para activar el mosfet, mantenga todos los canales por debajo de 3A.

Circuito de muestra utilizando pines de arduino

simular este circuito : esquema creado usando CircuitLab

Y aquí usando TLC5940NT

simular este circuito

    
pregunta cocco

1 respuesta

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Solo busca las hojas de datos ...

El 60N03L es un dispositivo de 60 amp y 30 voltios y el 55N03L es un dispositivo de 55 amp y 30 voltios. No busqué más porque parecía que estaba ocurriendo una tendencia.

Siempre revisa las hojas de datos.

Habiendo comprobado algunas hojas de datos más, parece que la tendencia se ha visto contrariada. La parte "03" del nombre parece implicar de manera consistente que la tensión nominal es de 30 V, PERO, por ejemplo, el dispositivo IPB05N03 es un dispositivo de 80 amperios que puede manejar picos (en un período de 80 us) hasta 160A: -

Es de destacar el rendimiento cuando la señal de la unidad de la puerta es de 3,0 voltios (es decir, un nivel de unidad lógica de 3V3 bajo). Con una carga de 2A, probablemente diría que la caída de voltios es de aproximadamente 0,1 voltios y, por lo tanto, la cifra de disipación de potencia de conducción es de 200 mW. Si observamos el dispositivo 07N03, la disipación de energía es aproximadamente la misma pero con una unidad de compuerta de 3,2 voltios.

Probablemente podría ejecutar cualquiera de estos dispositivos sin un disipador de calor y esperar que el dispositivo no suba mucho más de 70 grados centígrados y posiblemente solo 50 grados centígrados con algo de aire decente alrededor del dispositivo. Para confirmar esto, verifique la hoja de datos del coeficiente de temperatura del paquete; debe indicarse como X grados por vatio.

También debe tener en cuenta que el 05No3L no podrá llevar a cabo nada más que 20A con una unidad de compuerta de 3.0V y, sospecho, si observa la hoja de datos del 07N03L, quizás sea 30A a 3.2. voltios pero se calentará demasiado sin un disipador de calor. Por ejemplo, la unidad de compuerta 05N03L en 3v probablemente caiga alrededor de un voltio a 20A y esto significa una disipación de potencia de 20 vatios; definitivamente necesitará un buen disipador de calor.

En cuanto a: -

  

Si utilizo diferentes tipos de esos mosfets con el tlc5940 podría haber   ¿Sería un problema SERIO o funcionaría bien?

Es probable que el circuito que ha mostrado funcione con una carga de no más de 2A sin un disipador de calor, pero debe verificar cuál es la frecuencia de PWM y qué tan rápido puede cargar el capacitor el conductor dentro de la compuerta del transistor. Normalmente, el 05N03L tiene una capacitancia de compuerta de 2.5 nF y si lo alimentó desde una resistencia de 100 ohmios, 5 x CR = 1.25 us. Claramente, sería una tontería ejecutar esto a una frecuencia PWM de 1MHz, pero 100kHz se ve bien, pero vale la pena examinar cuáles son las pérdidas de conmutación que probablemente serán: -

Puede estimar que a mitad de la conmutación de la corriente es de 1A con 6V en todo el FET, es una potencia de 6 vatios y dura aproximadamente 1us. Con un PWM de 100 kHz, esto se disipa dos veces en un período de 10 us, por lo tanto, la potencia debida a la conmutación es aproximadamente el 20% de 6 vatios, es decir, 1 vatio.

Si tuviera una resistencia de 10 ohmios alimentando la compuerta (y el conductor podría empujar la corriente hacia la compuerta del dispositivo), el tiempo de carga sería de una décima y las pérdidas de conmutación a 100 kHz serían aproximadamente 0,1 vatios. Alternativamente, correr a 10 kHz puede ser una mejor opción.

    
respondido por el Andy aka

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