He leído que las memorias flash pueden "solo" reprogramarse de 100000 a 1000000 veces, hasta que el almacenamiento de memoria se "deteriora"
¿Por qué sucede exactamente esto con flash y no con otros tipos de memoria, y a qué se refiere internamente el "deterioro"?
EDITAR: Ya que no es solo un flash lo que sucede, me gustaría generalizar un poco y preguntar sobre los recuerdos que tienen este problema. Además, ¿se produce el desgaste entre estos tipos de memoria debido al mismo fenómeno?
No puedo hablar de FRAM (memoria ferroeléctrica), pero cualquier tecnología que use puertas flotantes para almacenar carga (cualquier forma de EPROM, incluidas EEPROM y Flash) se basa en la "tunelización" de electrones a través de una barrera aislante muy delgada de óxido de silicio para cambiar la cantidad de carga en la puerta.
El problema es que la barrera de óxido no es perfecta, ya que se "cultiva" en la parte superior de la matriz de silicio, contiene un cierto número de defectos en forma de límites de grano de cristal. Estos límites tienden a "atrapar" a los electrones de tunelización más o menos permanentemente, y el campo de estos electrones atrapados interfiere con la corriente de tunelización. Finalmente, se atrapa suficiente carga para que la celda no se pueda escribir.
El mecanismo de captura es muy lento, pero es suficiente para dar a los dispositivos un número finito de ciclos de escritura. Obviamente, el número citado por el fabricante es un promedio estadístico (completado con un margen de seguridad) medido en muchos dispositivos.