V SAT es el límite de la región de saturación en las características MOSFET.
En el libro de texto dice V SAT = V GS -V T0 pero no puedo ver ninguna explicación. ¿Hay alguna razón para ello?
V SAT es el límite de la región de saturación en las características MOSFET.
En el libro de texto dice V SAT = V GS -V T0 pero no puedo ver ninguna explicación. ¿Hay alguna razón para ello?
La saturación de los identificadores de corriente de drenaje se produce cuando Vgd = Vt (condición de pellizco de apagado del MOSFET de canal n).
Por lo tanto, la tensión de la fuente de drenaje de saturación es Vds = Vsat.
Desde Vgd = Vgs-Vds puede encontrar que Vsat = Vgs-Vt
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