mosfet de canal de tipo N

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Intento explicar cómo funciona un mosfet de n canales. Pero mientras trato de explicar hay una ambigüedad que no puedo entender. Como leí muchos libros y busqué en Internet, no se dice en ninguna parte con claridad sobre quién está construido. Cuando aplicamos el voltaje de la compuerta positiva, los orificios presentes debajo de la capa de óxido con una fuerza repulsiva y los orificios se empujan hacia abajo. Por lo tanto, solo quedan iones negativos en esa área y la capa adquiere carga negativa. Otros libros dicen que esta área se deriva de los electrones que son atraídos. Mi pregunta es en definitiva, ¿de qué se crea el canal? por los iones negativos que permanecen en la capa o por los electrones que son atraídos; Y si se deriva de electrones, ¿de qué átomos provienen? (Por ejemplo, de silicio;)

    

1 respuesta

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Para un transistor NMOS, el canal en sí consta de electrones. Son cargas móviles negativas que fluyen desde la fuente hasta el drenaje.

Antes de crear el canal, la región debajo de la puerta se agota. Al aplicar una pequeña (!) Tensión positiva entre la puerta y los electrones a granel se atraen. Estos electrones llenan los agujeros existentes del material tipo p y los átomos aceptores pierden sus agujeros. Se dice que están al descubierto y actúan ahora como cargos negativos fijos. Dado que son fijos, no realizarán una corriente.

Entonces, primero hemos corregido las cargas negativas debajo de la puerta, pero hasta ahora no hay canal. Al aumentar aún más el voltaje en la puerta, cada vez se descubren más átomos y aumenta el potencial en la superficie. Finalmente, se alcanza un nivel de energía donde puede existir un mayor número de electrones y se forma un canal.

Tan pronto como tengamos un canal, la situación es la siguiente. Hay una región con cargos negativos fijos con una capa de cargos móviles encima. Esta capa, el canal, conecta el drenaje y la fuente y es posible tener un flujo de electrones desde la fuente hasta el drenaje.

    
respondido por el Mario

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