¿Es apropiado un diodo Schottky para la protección de polaridad inversa?

La corriente de fuga inversa solo se aplicaría en el caso de polaridad opuesta. Esto es una corriente que está perdiendo a través del material semiconductor cuando el diodo está en la condición de apagado porque está sesgado incorrectamente. Por lo tanto, en su aplicación, no es un problema.

Sin embargo, tiene razón al desconfiar de la caída de tensión directa. Solo usted puede decidir qué caída aceptable de voltaje se basa en la fuente de alimentación y las necesidades de voltaje de su regulador o fuente de alimentación. Ya que está almacenando en búfer su fuente de alimentación con un regulador de voltaje, supongo que una pequeña caída de voltaje (menos de 0.7 V) sería aceptable. Como ejemplo, tal caída de voltaje podría ser importante si la protección del circuito fuera para una aplicación analógica de detección de voltaje en su lugar.

El mayor problema con el que es probable que se encuentre es el funcionamiento en condiciones de polarización directa. Los diodos Schottky todavía tienen una caída de voltaje bajo el sesgo hacia adelante, digamos 0.25V.

Eso significa que a 100 mA, estás disipando 25 mW de potencia. Mejor que un diodo de silicio estándar, pero no muy bueno, especialmente para un dispositivo con batería restringida.

Una mejor manera de obtener la protección de polarización inversa es usar un MOSFET de canal P. Los MOSFET actúan más como una resistencia cuando están saturados, y es posible obtener MOSFET con bajas resistencias.

Supongamos que tenemos un 1 ohmio en resistencia. A 100 mA, eso es una caída de 0.1 V a través del MOSFET y una disipación de 10mW. 1 ohmio en resistencia es algo malo para un MOSFET, puedes obtener algunos que tienen significativamente menos resistencia. No estoy completamente seguro de la fuga de corriente a través de MOSFET, pero me parece recordar que es bastante pequeña.

Para conectar el mosfet:

Conecte el drenaje al terminal positivo de la batería, conecte la compuerta al terminal negativo y conecte su carga a la fuente. Para mayor protección, puede agregar un diodo Zener y una resistencia a través de la fuente / puerta.

Puede encontrar una explicación más completa aquí.

Yo diría que un Schottky es una excelente opción ya que su voltaje directo es menor que el que probablemente tienen los diodos ESD (Si) en sus semiconductores. Entonces, está desviando este error, y es actual convertir las partes más delicadas en algo que sea más robusto / más robusto.

Las fugas inversas pueden ser un problema con los dispositivos alimentados por batería, ya que los Schottky tienen una mayor corriente de fuga inversa (debido en parte a su menor voltaje directo). Esta especificación estará en la hoja de datos y aumentará con la temperatura.

La corriente de fuga inversa es simplemente la desviación del caso ideal en el que habría flujo de corriente cero. Tener fugas inversas significa que consumirá parte de la energía de la batería. A 100 mA no se notará, pero lo que importa es la fuga fuera del estado. Solo asegúrate de que el Schottky esté DESPUÉS de que el interruptor de alimentación y la fuga sean irrelevantes en ese momento.