Ejecutando los números: Potencia = I ^ 2 x R. Con una resistencia de 0.022 ohmios y 6 amperios de carga, obtienes 0.792 vatios de disipación de potencia.
En este punto, usted consulta la hoja de datos para determinar la unión al aumento de la temperatura ambiente, en términos de grados / vatio. Para esta parte, es un máximo de 62.5 C / W. Multiplique eso por la disipación de energía que descubrimos anteriormente, y obtendrá ~ 50C.
Entonces, estás viendo un aumento de 50C, lo que pone tu parte en el rango de 70C. Eso está bien.
Probablemente está bien. Lo único a tener en cuenta: en 70C, la calificación actual no es 8.3A, sino 6.7A. Así que no tienes mucho espacio para la cabeza.
EDITAR: como lo señala correctamente Brian Dohler, estarás haciendo PWM con el MOSFET, lo que causa pérdidas de conmutación y aumentará la temperatura por encima de lo que mencioné aquí.
Por lo que es posible que necesite un disipador de calor. En esos pequeños paquetes, están diseñados para ser unidos a un PCB pesado por un botón inferior (si los volteas, son brillantes), que actuarán como un disipador de calor.
Como esta almohadilla es a menudo inaccesible, podría considerar montar algo en la parte superior de plástico del chip. Si bien el plástico no es un buen conductor térmico, no supera a nada y, en cualquier caso, no se necesita mucho calor.
No, no puedes.
La disipación de energía es demasiado para el dispositivo en ese paquete.
Para la estimación del peor de los casos, debe usar el gráfico 4. El valor Rdson a la temperatura máxima de la unión, que es también el valor utilizado para la clasificación de corriente del paquete,
es 1,7 veces el de 25C.
Incluyendo las pérdidas de conmutación, estarás alrededor de 1.7 W
Tenga en cuenta que el Rth J-A escrito en la hoja de datos es:
En la parte superior, debe considerar la peor temperatura ambiente que pueden alcanzar los dispositivos. ¿Cuál es el uso y dónde se ubicará?
Sugiero usar un mosfet en DPAK con ~ 10 mOhm o menos para manejar la disipación de energía.