EstoyconstruyendounH-Bridge.Esteeselesquemademiplacadecontroladorespara1delosIGBT.NosécómocalcularelR1.ElVgees15v,elIces41A.¿Cuálseríaelmejortamañoderesistenciaparausar?
EstoyconstruyendounH-Bridge.Esteeselesquemademiplacadecontroladorespara1delosIGBT.NosécómocalcularelR1.ElVgees15v,elIces41A.¿Cuálseríaelmejortamañoderesistenciaparausar?
Usted toma los parámetros de la hoja de datos: corriente de salida, voltaje de salida, resistencia de encendido / apagado. Entonces una simple ley de ohmios R = U / I. El MOSFET es un condensador como, cuando se descarga, hundirá la corriente limitada por la resistencia de la compuerta, cuando se descarga también. Así que vamos a hacer un ejemplo grosero:
Vcc = 15V
HCPL-3120 máxima corriente máxima = 2.5A
Vout = Vcc-4
R = (15-4) V / 2.5A = 4.4ohm. Toma una resistencia de 4.7 a 10 ohm.
R1 no es crítico, además de ser pequeño.
La función principal de R1 es amortiguar el posible timbre de la puerta cuando se acciona.
También limita la corriente de carga / descarga máxima de capacitancia de la puerta y, por lo tanto, aumenta los tiempos de conmutación de IGBT y reduce las pérdidas de interferencia electromagnética y de conmutación (este último tiende a ser contrario al "conocimiento o práctica común").
Un valor alrededor de 10 ohmios es típico. En Cg ~~ = 4 nF, la constante de tiempo de resistencia-cG a 10 ohmios es, por lo tanto, alrededor de 40 ns para un tiempo de subida de aproximadamente 100 ns. Esto puede ser aceptable a velocidades de conmutación de 100 kHz y tal vez más.
* -
P: ¿Está diciendo que aumentar el tiempo de conmutación de IGBT TAMBIÉN disminuye sus pérdidas de conmutación?
A: Sí. Las pérdidas por conmutación generalmente disminuyen a medida que aumenta la velocidad de conmutación hasta que se alcanza algún "punto dulce". Por encima de esta aumentarán las pérdidas.
Una serie de mecanismos incurren en pérdidas de conmutación. Los cambios que reducen una pérdida pueden aumentar otra. por ejemplo, si está cargando o descargando un condensador, reducir a la mitad el tiempo empleado será ~ = duplicar la corriente.
Las pérdidas resistivas están relacionadas con la potencia = I ^ 2 x R.
Pérdidas de energía a I ^ 2 x R x t.
Si duplica la corriente y el tiempo de reducción a la mitad, la potencia aumenta en un factor de 4 y la pérdida de energía en un factor de 2.
Si cambia muy lentamente, entonces las pérdidas de VI mientras que el dispositivo pasa de apagado a encendido dominará. Por lo tanto, una vez que obtenga "lo suficientemente rápido", más rápido puede aumentar otras pérdidas como se indicó anteriormente.