Extrapolando parámetros para el modelo SPICE para un fotomultiplicador de silicio

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He estado trabajando en un circuito que involucra un fotomultiplicador de silicio, pero tengo problemas para modelar el SiPM en LTspice. Encontré un artículo a continuación que muestra un modelo propuesto para un SiPM en SPICE:

Artículo: enlace

Mi problema es que no sé cómo extrapolar los parámetros para el modelo, como la resistencia de enfriamiento y la capacidad, así como la capacidad de la unión interna y la resistencia interna. Estoy intentando modelarlo con base en el MicroFJ-60035 SiPM proporcionado por SensL que se encuentra aquí:

enlace

Sin embargo, los parámetros que proporcionan no me dicen mucho acerca de los parámetros necesarios para el modelo SPICE directamente. ¿Cómo puedo obtener los parámetros necesarios de la hoja de datos? Como referencia, mi circuito que estoy tratando de construir es el circuito de lectura recomendado que se encuentra en el manual del usuario.

    
pregunta user101402

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No entiendo este tipo de sensores pero he trabajado en sensores y modelos de especias similares. Lo mejor que puedo decirle es hacer coincidir la forma de onda en la hoja de datos con la del modelo. A veces hay que hacer coincidir los modelos por prueba y error, a veces todos los parámetros están ahí. Muchos de los parámetros en este documento están en la hoja de datos, adquiera algunos conocimientos y encuéntrelos. No tengo mucho tiempo para esta pregunta, pero te daré una ventaja. Necesita calcular estas cifras para arriba, su modelo de especia debe parecerse a la "Forma de pulso de salida estándar"

En segundo lugar: la sobretensión se da en el modelo como \ $ V_ {ov} = V_k-V_ {BD} \ $, en la hoja de datos aparece como \ $ V_ {br} +2.5 \ $ (como ejemplo, su modelo dependiente) y \ $ V_ {br} \ $ es nominalmente de 24.5V.

Parece que necesitas pasar un tiempo leyendo el periódico, pero esto debería darte un buen comienzo.

    
respondido por el laptop2d

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