Gatillo Schmitt de CMOS: información contradictoria

Ambas versiones son correctas. Considera la siguiente explicación.

Supongamos que doy una señal de onda cuadrada como entrada. Cuando el voltaje en A aumenta de 0 a voltaje de riel (Vdd), el nmos inferior M1 se activa lentamente cuando A alcanza Vt. Este es el momento en que puede ver el efecto real del M3 nmos en la retroalimentación. Durante esta transición, puede pensar que el par de transistores M1, M3 es como un circuito divisor potencial donde las impedancias de M1, M3 dependen de sus tamaños (W1, W3). Ron para un transistor es inversamente proporcional a su ancho. Si W1 es menor que W3, verá que el voltaje en el terminal de origen de M2 es mayor que el que habría sido en el caso donde W1 es mayor que W3. Por lo tanto, cuando W1 es menor que W3, el disparador Schmitt habría cambiado su salida a un voltaje de entrada más alto que cuando W1 tenía un tamaño mayor que W3. Lo mismo ocurre con el pmos superior durante la otra transición de la señal de entrada.

Por lo tanto, creo que la elección de los tamaños de mosfets de realimentación es alterar los Vih y Vil, que son los voltajes a los que el circuito cambiará de Alto a Bajo y de Bajo a Alto. Tanto los escenarios producirán una banda de histéresis que no hace falta decir.