Me gustaría conocer una definición detallada del modelo de transistor en BJTs. Conozco muy bien la mayoría de los diagramas, pero la definición no. Además, ¿pueden ayudarme a diferenciar el modelo de transistor a pequeña escala en el modelo de transistor? Por cierto, estoy usando los dispositivos electrónicos y la teoría de circuitos de Robert Boylestad.
Tu pregunta es bastante vaga, pero supongo que estás preguntando qué es h RE . RE significa emisor de inversión . Esta es la característica principal cuando se mira hacia atrás en un transistor en una configuración de emisor común.
En la configuración del emisor común, la base es la entrada y el colector la salida. La h FE más común describe la característica principal de avance (FE = forward emitter), que es la ganancia desde la base hasta el colector. Esta es una cantidad sin dimensiones ya que ambos valores tienen unidades de corriente.
La característica principal cuando se mira este circuito al revés, es cuánto un pequeño cambio en el voltaje de salida hace que cambie la salida (la corriente del colector). Para un BJT perfecto, la corriente del colector es estrictamente una función de la corriente base y la ganancia, y no varía con el voltaje del colector. Por supuesto, los transistores reales tienen cierta dependencia del voltaje. Dado que el valor h RE es ΔV / ΔI, tiene unidades de resistencia. Esto se puede considerar como la resistencia aparente de la fuente de corriente que el colector es idealmente. Tenga en cuenta que este valor es infinito para una fuente de corriente ideal.
La mayoría de las hojas de datos de transistores tienen un gráfico que muestra la corriente del colector en función del voltaje del colector, con varias curvas de diferentes corrientes de base. Después de superar un voltio, observe cómo la corriente del colector se aplana a medida que se aplica más voltaje del colector. Si fuera perfectamente plano, entonces la corriente del colector no sería en absoluto una función del voltaje. Sin embargo, la corriente sigue aumentando un poco a medida que se aplica más voltaje. Es esta tensión aplicada incremental dividida por la corriente incremental resultante que h RE trata de describir. Para concretar realmente h RE , es necesario especificar el punto de operación desde el cual se realizaron los cambios incrementales.
El llamado "re-modelo" es un modelo BJT que, según mi opinión, no está muy cerca de la realidad física y, por lo tanto, no es muy útil. En contraste, creo que incluso es confuso porque algunas personas (incluso los autores) llaman a este elemento "resistencia de emisor inherente", que es simplemente incorrecto.
No es un elemento resistivo y no pertenece al emisor.
En cambio, es simplemente la inversa de la transconductancia gm (re = 1 / gm), lo que conecta la tensión de entrada de control Vbe con la cantidad controlada (corriente de colector Ic): gm = d (Ic) / d (Vbe) .
(En mi opinión, para entender la función real del transistor, no ayuda en absoluto utilizar la transconductancia inversa re = 1 / gm dentro del modelo y tratarla como un elemento resistivo).
Comentario: El comentario anterior de Sparky256 es un muy buen ejemplo para el uso confuso de este símbolo. Una resistencia de emisor externa Re (que causa retroalimentación negativa) es una resistencia lineal óhmica (letra grande) mientras que un símbolo con letras pequeñas (re) siempre indica una resistencia dinámica (diferencial).
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