compuerta NAND de BJT: interfaz +/- 12v op-amp y 5v logic: ¿destruir BJT con Vebo excesivo?

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Quiero activar un relé cuando tanto una entrada lógica de 5v es alta y un (LM741 usado como a) el comparador está alrededor de + 10v, y el circuito que planeaba usar está abajo.

El problema que veo con el circuito es cuando la salida BUF1 es baja, (0v) y la salida OA1 es baja, (-10v) la base de Q1 estará en 0v, pero el emisor estará flotante. ¿Podría esto destruir Q1, dado que el máximo absoluto de Vebo para BC547A es 6v?

simular este circuito : esquema creado usando CircuitLab

    
pregunta CL22

1 respuesta

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No, no destruirá, ni estresará, Q1.

Recuerde, después de todo, la unión del emisor de base de un transistor es solo un diodo. Si no hay una conexión externa al emisor (por ejemplo, cuando se corta Q2), simplemente se coloca aproximadamente 0.65 V por debajo de la tensión de la base.

La especificación V EBO se aplica solo cuando está polarizando inversamente deliberadamente ese diodo, el cual, debido al dopaje de esa unión para una buena acción del transistor, tiene un voltaje de ruptura muy bajo. p>     

respondido por el Dave Tweed

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