Cómo mejorar el tiempo de apagado de PMOS

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Estoy tratando de usar PMOS SSM3J334R para cargar la batería. Pero me doy cuenta de que mi mosfet de carga se está calentando incluso a menos de 1A de corriente.

Al verificar la forma de onda, encontré un mal tiempo de apagado del MOSFET. ¿Puede alguien ayudarme a encontrar problemas en mi circuito?

En el siguiente diagrama: azul - base, rojo - puerta

Enelsiguientediagrama:azul-base,rojo-drenaje

En la siguiente trama: azul - puerta, rojo - drenaje

    
pregunta user45805

2 respuestas

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La capacitancia de la puerta del dispositivo está "sosteniendo" el MOSFET. Esto se debe a que el único componente que intenta apagar la señal de la puerta es una resistencia de 470 ohmios. La constante de tiempo de la resistencia de 470 ohmios y la capacitancia de la compuerta (alrededor de 1nF) es de aproximadamente 0.5 microsegundos. Como no sabemos qué MOSFET está utilizando, nadie puede estar seguro de la capacidad de la puerta, pero podría ser tan alto como 10nF para algunos dispositivos.

Esto significa que la constante de tiempo CR está entre 0.5us y 5us. Dave Tweed ha sugerido usar un controlador adecuado (tendrá una salida push-pull que puede descargar la capacitancia de la compuerta en unas pocas decenas de nano segundos) pero otra alternativa es elevar la parte superior de los 470 ohmios 15 voltios (ish) arriba El riel eléctrico. Esto hace que el tiempo de apagado se reduzca porque la "tensión de puntería" de la "descarga CR" desactivará sustancialmente el MOSFET en una fracción del tiempo.

    
respondido por el Andy aka
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La capacitancia efectiva que ve el conductor es una combinación de capacitancia de compuerta y realimentación entre la compuerta y el drenaje. La región crítica se produce cuando el voltaje de la puerta se aproxima al corte (aproximadamente 2.6 V en el SSM3J334) y el FET comienza a apagarse, luego la capacitancia efectiva aumenta dramáticamente y la tensión de la puerta se aplana. Para superar este punto rápidamente necesita un controlador de alta corriente.

Agregarunsimpleseguidordeemisorcomplementarioparaaumentarlacorrientedelaunidaddeberíareducirsutiempodeapagadoaaproximadamente1/10deloqueesahora.

Formas de onda con cambios de Bruce, pero resistencia de 100ohm entre R14 y T5

Base - Diagrama de la puerta (base azul, puerta roja)

Base-Diagramadedrenaje(baseazul,drenajerojo)

Puerta - Diagrama de drenaje (Puerta azul, Drenaje rojo)

    
respondido por el Bruce Abbott

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