Tengo la red resistiva que genera 1V a partir de 3V, pero cuando conecto dos N-FET en la salida con compuertas conectadas a fuentes conectadas a tierra (eso debería hacer que se cierren, ¿no?), el voltaje cae a cerca de cero. Funciona como se esperaba con solo 1 N-FET conectado. Estoy usando BS170 específicamente.
Funciona bien en simulación:
¿Por qué es eso?
En tu simulación estás usando un modelo FET idealizado. No hay fugas a través de la fuente para drenar, por lo que el divisor de voltaje permanece descargado y produce el 1V como se espera.
Cuando se aplica un FET real que tiene fugas, carga el divisor para hacer que el divisor produzca un voltaje más bajo. La fuga excesiva hará que la salida del divisor se aproxime a cero.
Después de todo, con los valores de resistencia mostrados, la corriente a través del divisor descargado es solo ~ 10uA.
Su BSS170 se especifica en su hoja de datos para tener una fuga máxima de 0.5uA con cero voltaje de puerta. Entonces, si sus dos FETs fueran buenos, podría esperar ver un poco de caída de la 1V desde el divisor.
¿Ha sido cuidadoso al manejar sus FET? Los dispositivos como el BSS170 tienen una impedancia de compuerta muy alta y pueden dañarse simplemente en el manejo si se acumula electricidad estática en su cuerpo debido a la ropa, la alfombra o la silla acolchada. Sospecho que uno de sus FET puede estar dañado.
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