¿Existe una relación entre el grosor de la compuerta de óxido y la longitud del canal en un MOSFET?

No, en un proceso CMOS puedo elegir casi cualquier longitud para un MOSFET que me guste, dentro de los límites, por supuesto. Por lo general, más de 100 um no es práctico y tampoco es necesario.

Pero si te refieres a la longitud del canal mínimo , eso depende del proceso. Se determina por el ancho de polisilicio mínimo permitido. Lo que a su vez depende principalmente del tamaño mínimo de la función permitido por las máscaras, pero también por el proceso en sí. Quiero decir, el ancho mínimo de polisilicio que se puede hacer de manera confiable.

El grosor del óxido de la puerta establece el "factor de ganancia" o K (\ $ uC_ {ox} W / L \ $) de los MOSFET y también es una opción de diseño. Un óxido más grueso da como resultado un voltaje de umbral más alto y transistores más lentos pero menos consumo de energía. Un óxido más grueso es capaz de soportar una tensión de alimentación más alta.

Como tales, estos parámetros están interrelacionados no tanto por una fórmula sino más por lo que el fabricante quiere como resultado final. Alto o bajo consumo de energía, baja o alta tensión de alimentación, etc.

Por lo general, todas las dimensiones de los transistores se escalan según el mismo factor para que el campo eléctrico permanezca sin cambios. Por lo tanto, cuando se habla de la escala y la longitud del canal mínimo , la respuesta es sí.

Sin embargo, en general, el grosor de la puerta está dado por el tipo de transistor que está disponible en un cierto proceso y la longitud del canal puede elegirse para obtener un determinado comportamiento (para el diseño de circuitos analógicos, esta podría ser la ganancia). En este caso, la longitud del canal y el grosor de la puerta no están relacionados.