¿Cómo modelar la fuga de carga en el MOSFET de canal N?

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¿Qué voltaje de onda cuadrada se aplica a la compuerta del MOSFET? Parece que hay una fuga de tensión entre la compuerta y el drenaje. ¿Puedo modelar esta fuga de voltaje usando resistencias y condensadores? Además, ¿existe una ecuación que describa esta fuga de voltaje?

    
pregunta Kurst

1 respuesta

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Hay un fonema en el que una parte del reloj (onda cuadrada) penetra desde la Puerta hasta el Drenaje, que se denomina Clock Feed Through. Como se muestra en la figura siguiente:

simular este circuito : esquema creado usando CircuitLab

Se puede simplificar al siguiente circuito:

simular este circuito

Esto solo ocurre en los bordes del reloj o en las transiciones, ya que el acoplamiento Gate-Drain es a través de una impedancia capacitiva. Estas impedancias capacitivas de acoplamiento son, de hecho, condensadores superpuestos parásitos entre la compuerta y el drenaje y la compuerta y la fuente de los transistores MOS y se deben a imperfecciones del proceso. La cantidad de voltaje inyectado del reloj (o como menciona una onda cuadrada) depende del voltaje del reloj, la impedancia de carga y los capacitores parásitos, como lo describe la siguiente ecuación: $$ V_ {er} = V_ {clk} WC_ {par} / ({WC_ {par} + C_ {load}}) $$ Para obtener más información, consulte "Diseño de circuitos analógicos CMOS" de Behzad Razavi, o este enlace en su página web en UCLA: enlace

    
respondido por el MimSaad

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