Puente H de bajo voltaje

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Estoy diseñando un puente en H para controlar la dirección en la que una célula peltier está conectada a una fuente de corriente de control variable. La corriente será de un máximo de 5A. El DIR1 y 2 son 3.3V de un micro.

El problema es que a medida que la tensión de entrada se reduce a < Vgs los FET de tipo P comenzarán a apagarse.

Tengo acceso a + 12V. Pensé en usar N-FET en la parte superior y conducir con los 12V, pero luego tengo un problema similar cuando el voltaje de entrada está cerca de los 12V.

Estaba pensando en utilizar un suministro negativo para impulsar los FET principales, ¿funcionaría? Seguramente, debe haber una solución más simple?

simular este circuito : esquema creado usando CircuitLab

    
pregunta KylePennington11

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Un enfoque es impulsar los MOSFET de canal p con un optoaislante / controlador de puerta fotovoltaico doble. Son un poco lentos, pero puede que no sea un problema para usted (asegúrese de no obtener la corriente de disparo al retrasar el encendido del canal n, pero no del apagado adecuadamente).

Toman la energía del LED interno y generan un voltaje de salida aislado. El encendido es lento porque tienen que suministrar la carga de la puerta. Un circuito interno especial acelera el apagado cortando la salida cuando el LED se apaga.

Esto evita tanto la necesidad de generar un suministro negativo como el cambio de nivel necesario. También evitará el posible problema de exceder los Vgs máximos si el suministro está en +12 y usted maneja las puertas con -12.

Además, como los voltajes de la unidad de la puerta de salida están aislados, puede usar MOSFET de canal n para los cuatro.

    
respondido por el Spehro Pefhany

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