¿Qué tan susceptibles al daño por ESD son las puertas JFET?

Debido a que la tensión de la fuente de la puerta de (por ejemplo) un JFET del canal N se controla desde alrededor de 0 voltios a cualquier cosa hasta -15 voltios, normalmente no se necesita un diodo Zener para restringir la ESD positiva. Esto se debe a que la región de la fuente de la puerta actuará como un diodo con polarización directa con niveles positivos en la puerta y esto protegerá "normalmente": -

Silapuertatienepolarizacióndirecta,debidoalauniónPN,serealizará(comolabaseenunNPNBJTconducelacorrientealemisor).

UnvoltajedefuentedecompuertaMOSFETnotieneesta"característica" incorporada, por lo tanto, si necesita complementar la protección debido a un posible ESD, podría considerar diodos zener de respaldo.

En la dirección hacia adelante, no hay nada de qué preocuparse: la unión conduce. En la dirección inversa, el diodo se descompondrá a cierta tensión, sin embargo, a diferencia del aislante de óxido "O" en un MOSFET, la ruptura es reversible siempre que no pase mucha corriente a través de la unión. Debe tener un poco de cuidado porque la potencia es mucho mayor en el voltaje de ruptura relativamente alto que en el voltaje directo, por lo que probablemente la corriente máxima sea mucho menor. Puede usar un trazador de curva para encontrar el voltaje de ruptura siempre que la corriente se mantenga razonablemente baja (quizás decenas o cientos de uA).

En general, debe tratar todos los semiconductores como sensibles a la ESD, pero las compuertas JFET no son particularmente sensibles a la ESD.