¿Por qué la curva de carga de la compuerta (meseta de Miller) de los MOSFET depende de Vds?

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No entiendo por qué la curva de carga de la puerta (exactamente: la parte de la meseta de Miller) de los MOSFET depende de la tensión Vds de la fuente de drenaje.

Como ejemplo, la hoja de datos del IRFZ44 se muestra en la página 4 ( Fig. 6) las curvas de carga de la puerta para diferentes valores Vds.

¿Por qué es más larga la meseta de Miller para los Vds más grandes? ¿No es la meseta dependiente de Cgd? Pero Cgd (= Crss) se vuelve más pequeño para Vds más grandes (ver FIg.5 en la hoja de datos). ¿No debería acortarse la meseta de Miller?

    
pregunta Xenu

3 respuestas

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"¿Por qué el Miller Plateau es más largo para \ $ V _ {\ text {ds}} \ $?"

La respuesta corta es que el ancho de Miller Plateau se escala con el área debajo de la curva para \ $ C _ {\ text {gd}} \ $. ¿Pero por qué?

¿Qué muestra Miller Plateau?

El efecto Miller existe porque existe una capacitancia efectiva entre el drenaje y la compuerta del FET (\ $ C_ {\ text {gd}} \ $), la llamada capacitancia de Miller. La curva de la Figura 6 en la hoja de datos se genera al encender el FET con una corriente constante en la compuerta, mientras que el drenaje se ha elevado a través de un circuito limitador de corriente a cierta tensión \ $ V_ {\ text {dd}} \ $ . Después de que el voltaje de la compuerta aumenta más allá del umbral y la corriente de drenaje alcanza su límite (establecido por el circuito limitador de corriente), \ $ V_ {\ text {ds}} \ $ comienza a disminuir, desplazando el cargo en \ $ C_ {\ text {gd }} \ $ a través de la puerta. Mientras que \ $ V_ {\ text {ds}} \ $ cae a cero voltios, desde \ $ V_ {\ text {dd}} \ $, \ $ V_G \ $ está atascado por el desplazamiento actual desde \ $ C_ {\ text {gd}} \ $ ... esa es la meseta de Miller.

Miller Plateau muestra el monto del cargo en \ $ C_ {\ text {gd}} \ $ por su ancho. Para un FET dado, el ancho de Miller Plateau es una función del voltaje atravesado por \ $ V_ {\ text {ds}} \ $ a medida que se enciende. La figura muestra \ $ V_G \ $ alineado con \ $ V_ {\ text {ds}} \ $ para que esto quede claro.

LacurvadecargadelacompuertaparaelIRFZ44muestratrestramosde\$V_{\text{ds}}\$;Span1es0Va11V,Span2es0Va28V,ySpan3es0Va44V.Ahora,algunascosasdebenserclaras:

  • \$V_{\text{ds}}\$Span3>\$V_{\text{ds}}\$Span2>\$V_{\text{ds}}\$Span1
  • \$V_{\text{ds}}\$Span3incluyeSpan2ySpan1.
  • \$C_{\text{gd}}\$elcargoesmayorparaunmayor\$V_{\text{ds}}\$span.
  • MillerPlateauserámásanchoconmáscargosde$C_{\text{gd}}\$.
  • Másesmás.

¿Estasconclusionesteparecendemasiadoonduladasyengrasadasparati?Ok,entonces,¿quétalesto?

PorquéMillerPlateausevuelvemásamplioparamayor\$V_{\text{ds}}\$-Unaaparienciacuantitativa

Comienceconlaecuaciónparacargarenuncapacitor:

Q=CVconunaformadiferencialdQ=CdV

Ahora\$C_{\text{gd}}\$noesunaconstante,peroalgunafunciónde\$V_{\text{ds}}\$.AlobservarlacurvaenlaFigura5delahojadedatosdeIRFZ44para\$C_{\text{gd}}\$,queremosalgunaecuaciónquenoseainfinitaencero\$V_{\text{ds}}\$ycaigafueraexponencialmente(ish).Novoyaentrarendetallesaquísobrecómosehizoesto.Simplementeelijaformulariosmuysimplesqueparezcancoincidireintenteajustarlosalosdatos.Porlotanto,nosebasaenlafísicadeldispositivo,sinoquesecombinabastantebienconmuypocoesfuerzo.Avecesesoestodoloqueserequiere.

\$C_{\text{gd}}\$=\$\frac{C_{\text{gdo}}}{k_c\text{V}_{\text{ds}}+1}\$

donde
    \$C_{\text{gdo}}\$=1056pF
    \$k_c\$=0.41-uncoeficientedeescalaarbitrario

Comprobandoestemodeloajustadoenlahojadedatosquevemos:

\begin{array}{ccc} V_{\text{ds}}&C_{\text{gd}}\text{(data)}&C_{\text{gd}}\text{(modelo)}\\ \text{1V}&750pF&749pF\\ \text{8V}&250pF&247pF\\ \text{25V}&88pF&94pF\end{array}

Entonces,despuésdeinsertarlaexpresióndelmodelo\$C_{\text{gd}}\$enlaformadiferencialdelaecuacióndecarga,eintegrarambosladosobtenemos:

Q=\$\frac{C_{\text{gdo}}\log\left(k_cV_{\text{ds}}+1\right)}{k_c}\$=\$\frac{\text{1056pF}\log\left(\text{0.41}V_{\text{ds}}+1\right)}{\text{0.41}}\$

UngráficodeQmuestraquesiempreaumentaparacambiosmásgrandesde\$V_{\text{ds}}\$.

La única forma en que esto no sería cierto sería si \ $ C _ {\ text {gd}} \ $ se volvió negativo para algunos valores de \ $ V _ {\ text {ds}} \ $, que no es físicamente realizable. Entonces, más es más.

    
respondido por el gsills
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Una vez que el MOSFET comienza a conducir, hay portadoras en el canal donde antes no había ninguna, y la capacitancia de puerta a canal aumenta, no disminuye. Tenga en cuenta que las capacitancias medidas en la Figura 5 están todas en V GS = 0.

Dado que la magnitud de la corriente del canal para un V GS dado es algo dependiente de V DS , también lo es el aumento de la capacitancia efectiva.

La posición de la segunda "rodilla" en la curva representa el punto en el que la corriente del canal deja de aumentar para un V DS dado.

    
respondido por el Dave Tweed
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Mayor voltaje de drenaje significa más carga en Cgd. Es así de simple. La corriente a través de Cgd determina la tasa de cambio de voltaje en Cgd. Esta corriente es Ig, que está limitada por la fuente, por lo que lleva más tiempo descargar más carga.

    
respondido por el user128457

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