Estaba leyendo este documento del sitio web de cypress sobre varias opciones de condensadores de almacenamiento para nvSRAM. En la página 2, bajo el encabezado "características clave" (vea el enlace a continuación), encontré varios valores para los condensadores para diferentes densidades de nvSRAM (por ejemplo, 4 Mbit paralelo nvSRAM- 68 μF con 10% de tolerancia)
Mi pregunta es la siguiente: ¿qué base utilizaron para llegar al valor particular de un condensador?
La hoja de datos dice que el capacitor debe proporcionar suficiente energía para que la acción "almacenar para nvram" funcione. Cypress habrá realizado simulaciones del chip para determinar cuánta corriente se consume durante cuánto tiempo durante esta fase. Eso da un valor en coulombs para la carga consumida en ese tiempo. Además de su conocimiento de cuál debe ser el voltaje mínimo durante este proceso, da un valor para el condensador.
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