transistor Schottky, ¿No está seguro de entenderlo?

Lo que pasa es:

A medida que aumenta el voltaje de la base, el transistor comienza a encenderse y su voltaje de colector disminuye (asumiendo que tiene una resistencia de colector o un elemento limitador de corriente similar)

Normalmente, el voltaje de saturación de los transistores bipolares típicos es de alrededor de 200 mV o menos. Cuando el voltaje del colector, Vce cae por debajo de Vbe - Vschottky, el schottky comienza a conducir (ahora con polarización directa) y la corriente de base comienza a fluir a través del colector. Esta "roba" la corriente de la base, evitando que el transistor se encienda más y que el colector alcance su voltaje de saturación. El sistema alcanzará un estado de equilibrio, ya que el transistor no puede encenderse más sin que la corriente de su base disminuya (usted podría verlo como una forma de retroalimentación negativa) y se asentará alrededor de Vbe-Vschotkky (por ejemplo, ~ 700mv-450mV a diferencia de ~ 200mV)

Entonces, para aclarar las cosas, la fórmula para Vce es:

Vce = Vbe - Vschottky

Si tenemos este circuito y aplicamos un voltaje en rampa de 0-2V:

Obtenemosresultadosdesimulacióncomoestos:

Tenga en cuenta que cuando Vcollector cae por debajo de ~ 700mV, Schottky comienza a conducir y el voltaje del colector se estabiliza en alrededor de 650mV.

Si eliminamos el Schottky, entonces:

Podemos ver que el colector cae hasta 89mV (usé el cursor porque es difícil de ver en el gráfico)

La respuesta de Oli es buena en cuanto a la mecánica de lo que sucede: sin el diodo, a medida que aumenta la corriente base, el transistor se vuelve más duro, el transistor Vce cae por debajo de Vbe, hasta que el transistor se satura a Vce = 0.2 o incluso a 0.05V.

Y con el diodo presente, a medida que Vce cae por debajo de aproximadamente 0,45 V (0,7 V menos el diodo de 0,25 V hacia adelante), el diodo comenzará a robar la corriente de la base, lo que evitará la saturación del transistor. (No estoy seguro de por qué Oli dice que esto ocurre en Vce = 0.7V, quizás estaba usando un "diodo ideal" en su simulación).

Pero lo que falta es el por qué:

Cuando un transistor se satura, la región base está inundada de portadores adicionales, y prácticamente no tiene potencial de colector (Vce cerca de 0) para atraerlos fuera de la base. Por lo tanto, cuando apaga la corriente de base, el transistor permanece conduciendo durante un período de tiempo apreciable antes de apagarse.

Evitar la saturación de esta manera (eliminando el exceso de corriente de la base) significa que puede apagarse mucho más rápido, mientras que no afecta el tiempo de encendido.

Agregar este truco a la lógica de la serie 74 básicamente triplicó su velocidad (74S) para la misma potencia, o permitió una potencia significativamente menor (74LS) para el mismo rendimiento.