Cuando una unión de diodo PN conduce hacia adelante, el calor se genera debido al producto de los voltios y la corriente. ¿Está el calentamiento distribuido uniformemente entre las uniones P y N? o es la p? o es la N? .¿Cuál es la historia con un shottky que va al metal? ¿Es por esto que el cátodo común es más común? .
Las uniones PN en un diodo son tan pequeñas que sería difícil que existiera un gradiente de temperatura. También tenga en cuenta que un silicio PN está en un lado 99.9999% de silicio y otra cosa y el otro lado es 99.9999% de silicio y otra cosa también. Así que básicamente es principalmente de silicio. El dopaje P y N no cambia tanto las propiedades del silicio.
Para un diodo schottky, solo habría una diferencia si la resistencia al calor del metal y el silicio son muy diferentes, lo que dudo que sean. ¡El silicio también es un metal!
¿Cómo es más común el cátodo común? Esto podría no tener nada que ver con las propiedades de los diodos, sino más bien con la forma en que se utilizan en los circuitos.
Supongo que el calor se genera en la región de agotamiento, entre n y p. Qué lado tiene más depende del nivel de dopaje de cada región. Para el diodo Schottky, la región de agotamiento se encuentra en el semiconductor, de modo que es donde se genera el calor. Todo se termalizará (llegará a la misma temperatura) con bastante rapidez.