Relación entre el potencial incorporado y el dopaje

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¿Cuál es la relación entre el potencial incorporado y la concentración de dopaje de un diodo de unión pn? Solo pude encontrar la relación entre el ancho de la región de agotamiento y la concentración de dopaje.

    
pregunta TVV

1 respuesta

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No sé cómo se perdió la primera fórmula para el voltaje incorporado que puedo encontrar.

$$ V_ {bi} = V_t \ ln (\ frac {p_nn_p} {n_i ^ 2}) $$

$$ p_n = \ frac {n_i ^ 2} {n_n} $$

$$ n_p = \ frac {n_i ^ 2} {p_p} $$

y por último pero no menos importante:

$$ n_n = N_D - N_A $$

siendo Nd y Na el dopante donante / aceptador en la n-región

$$ p_p = N_A - N_D $$

siendo Na y Nd el dopante aceptador / donante en la región p

Suponiendo que sepa que el álgebra puede expresar fácilmente el voltaje incorporado en términos de las concentraciones de aceptador y donante.

$$ V_0 = V_t \ cdot ln \ Big (\ frac {N_d N_a} {n_i ^ 2} \ Big) $$

Esta ecuación es lo que me perdí.

    
respondido por el jbord39

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