Una puerta de transmisión típica se compone de dos MOSFET complementarios conectados cara a cara. Básicamente, actúan como interruptores de corte o conducción según el potencial de la puerta.
Entonces, ¿por qué no podemos usar un MOSFET para lograr lo mismo?
El problema es que un transistor está controlado por el voltaje Vgs, y la señal que está cambiando determina el voltaje de la fuente. El problema es que si solo usa, digamos, el NMOS con la compuerta atada a Vdd, cuando el nivel de la señal sube a un lado, el transistor se apagará cuando el nivel de salida alcance Vdd-Vt y luego ya no estará conducido a través del NMOS (se puede jalarlo con una resistencia pull-up, pero esto será más lento que hacerlo alto). Si obtiene un NMOS y maneja el voltaje de la compuerta a al menos Vdd + Vt, entonces solo necesita un transistor. Sin embargo, esto requiere un transistor que pueda manejar ese alto voltaje de compuerta, y requiere un riel de suministro de energía adicional. Entonces, lo que se suele hacer es conectar un NMOS y un PMOS en paralelo y activarlos (puerta NMOS a Vdd, puerta PMOS a GND) o apagado (puerta NMOS a GND, puerta PMOS a Vdd) para cambiar la señal.
Otro problema es que si usa un transistor, obtendrá un acoplamiento capacitivo entre la señal del controlador de la puerta y la señal que se está cambiando. Si utiliza dos transistores, entonces el acoplamiento a través de la puerta NMOS se cancela principalmente mediante el acoplamiento opuesto a través de la puerta PMOS.
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