fuente actual pull up [cerrado]

  

Por lo que entiendo, las resistencias son difíciles de implementar en silicio   y / o ocupa mucho espacio, así que en lugar de algo como una corriente   se utiliza el circuito espejo, y la hoja de datos cita una corriente de extracción.

Sí, esto es correcto, en general. La implementación de resistencias pull-up no es trivial utilizando tecnología de silicio. En la MCU moderna, esta función generalmente es configurable y se implementa sistemáticamente como "célula de relleno de E / S" en una forma universal. Esto incluye elementos de conmutación débiles, que no se comportan exactamente como resistencias. La implementación de las bibliotecas de celdas de E / S es altamente propietaria y generalmente no se divulga al público, solo en forma de modelos IBIS , o hojas de datos en forma cruda, ya sea como "corriente de activación efectiva" o como resistencia. De hecho, los tirones son elementos no lineales, que son difíciles de caracterizar por un solo parámetro. Es una elección del fabricante utilizar el parámetro que mejor se adapte a la E / S particular.

Sin embargo, por lo general, los tirones son débiles en relación con la funcionalidad principal (capacidad de la unidad) de la celda de E / S, por lo que en la primera aproximación se pueden modelar como resistencias del valor de campo de juego correspondiente. Digamos que el pull-up se dice como 58 uA típico. Si el nivel BAJO de entrada es, digamos, 0.8 V, y Vdd es 3.3V, se puede usar una resistencia de 43 k como modelo (las definiciones exactas son difíciles de encontrar, como se explicó anteriormente). Esto no debería cambiar la funcionalidad lógica general de un modelo. Pero si algún diseño es marginal y sensible a los valores de carga reales, se debe utilizar un modelo de IBIS.