Según entiendo, al ver videos de overclocking, la frecuencia máxima de funcionamiento de un ASIC digital es una función del voltaje y la temperatura. Específicamente, parece que la frecuencia de operación máxima aumenta con voltajes más altos y temperaturas más bajas.
Mi conjetura es que el retardo de la puerta y el retardo de enrutamiento varían con el voltaje de operación y la temperatura. ¿Es eso correcto? Dado un nodo de proceso (por ejemplo, FinfET + de 16nm de TSMC), ¿dónde puedo encontrar documentación (por ejemplo, hojas de datos) que explique cómo varían los retardos de enrutamiento y puerta con el voltaje y la temperatura?