Drenar corriente en función de la temperatura

parece que tienes saturación y un voltaje de compuerta alto por encima de Vt, por lo que VDSat approx es sqrt (Is * Isat) / Ut (ese es el comportamiento, no la ecuación completa), donde Ut es el voltaje térmico. La corriente de drenaje disminuirá a medida que aumenta la temperatura.

A medida que aumenta la temperatura, aumenta la media de las colisiones, lo que provoca esos "efectos de orden superior" que ralentizan la movilidad.

Si tuviéramos el beneficio de temperaturas más altas, no necesitaríamos disipadores.

La corriente de drenaje depende de la movilidad del portador (que disminuye al aumentar la temperatura en aproximadamente -0.3% / ° C); concentración de la portadora (que aumenta de manera insignificante con la temperatura) y voltaje de umbral (que disminuye con la temperatura en aproximadamente -2 mV / grados C).

En las tensiones de la puerta justo por encima de la tensión de umbral (por ejemplo, < 500 mV arriba), la variación del umbral domina, y la corriente de drenaje aumenta con la temperatura. A la inversa, a voltajes de compuerta significativamente más altos (por ejemplo, más de 1 V por encima del umbral), el término de movilidad domina y la corriente de drenaje disminuye con la temperatura.

EN MOSFET, generalmente funciona en modo de inversión en el que (para n canal mosfet) los electrones forman un canal debido al alto campo eléctrico entre el terminal de la puerta y el sustrato. cuando la temperatura aumenta, los electrones ganarán energía cinética y esto será una barrera para los electrones que se mueven hacia el canal en la influencia del campo eléctrico para crear un canal, lo que significa que ahora debemos aumentar el voltaje de la compuerta para obtener la misma cantidad de corriente (corriente en la anterior). temperatura). o si hacemos que la tensión de compuerta sea constante, la corriente disminuirá debido a la energía cinética ganada adicional que disminuye la influencia del campo eléctrico.

¿Estás seguro de que es un MOSFET? Los dispositivos de silicio como los BJT tienen coeficientes de temperatura negativos (la conductividad aumenta en función de la temperatura), lo que describe el fenómeno que se ve.