Tengo un MOSFET (IRF840) conectado como un interruptor de motor de CC. La fuente está conectada a tierra, el drenaje está conectado al motor. Cuando configuro el Vgs a 5V, el Id es aproximadamente 1,5A, pero el Vds salta a más de 3V. ¿Alguien puede decirme por qué los Vds se vuelven tan grandes?
Gran voltaje de drenaje a fuente en MOSFET
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pregunta Cyanide
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Mire esto en la hoja de datos (dibujé una línea roja a 1.5 amperios): -
Estos son valores típicos y lo que me dicen es que si su voltaje Vgs es más como 4.5 voltios, nunca manejará el motor correctamente. A 5 voltios debería estar bien, pero probablemente en algún lugar entre 4,5 voltios y 5 voltios, es posible que se vean caídos 3 voltios desde el drenaje a la fuente.
Recuerde que estos son números típicos y, para el dispositivo en particular que tenga, es posible que necesite un poco más de 5 voltios para lograr lo que desea. También debe recordar que este dispositivo no es un tipo de resistencia de activación baja, incluso a 5 voltios y 1,5 amperios de corriente de drenaje, la caída de voltios del drenaje a la fuente es una fracción superior a 1 voltio y se disipará a más de 1,5 vatios de potencia .
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Andy aka
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Falta información sobre si el MOSFET puede manejar la corriente que tomará el motor. Pero dicho esto permite suponer que la corriente es razonable para el MOSFET en uso. Si el VDS es demasiado alto, significa que el FET no está totalmente mejorado y deberá tener un VGS más alto que el 5V que le está dando.
El FET IRF840 que está utilizando tiene una especificación RDSon de 0.85 ohmios cuando el VGS está a 10V. Por lo tanto, incluso si asignó el VGS a este nivel, el VDS del dispositivo será igual a aproximadamente 0,85 * Imotor. (Imotor = la corriente de funcionamiento del motor en amperios).
respondido por el
Michael Karas
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Dependiendo de la tensión aplicada a la compuerta, el Mosfet tiene una resistencia de activación diferente (Rds_on). Si busca en la hoja de datos de su IRF840, puede encontrar que con un voltaje de entrada de Vgs = 10V el Rds_on sigue siendo 0.85 Ohms. Entonces, incluso con un voltaje de compuerta más alto de 10V, aún tendría un Vds de 1.5A * 0.85 Ohms = 1.275V. Dado que el voltaje de compuerta aplicado es de solo 5 V, Rds_on será mayor. Así, los Vds más grandes.
Si desea reducir Vds aún más, necesita aumentar sus Vgs. El IRF840 puede manejar un máximo de Vgs = 20V, por lo que algo como 15-18V sería lo mejor. Puede crear este voltaje utilizando un circuito de refuerzo, una bomba de carga o encontrar un Mosfet con un Rds_on inferior.
respondido por el
lemur
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