¿Cuántos MOSFET puede manejar un controlador lineal?

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Diseñé un circuito para un regulador lineal de alta corriente (20A pico, 16.4 V (máximo) entrada regulada a 13.8 V) usando un Micrel MIC5158 junto con un BUK9575-55A . Los picos de 20 A son cortos, ya que el uso es para una radio con transmisión no continua.

Utilicé el diseño de referencia, solo con la adición de un Zener para proteger la puerta MOSFET (10 V máx. en mi caso).

No me queda claro cómo calcular a partir de las hojas de datos si es posible usar múltiples MOSFET y cuántos de ellos se pueden conectar de forma segura al IC. En la hoja de datos tampoco puedo encontrar información sobre la elección del (de los) MOSFET, el texto se refiere al MOSFET utilizando siempre el singular. ¿Un MOSFET único con gran capacitancia es lo mismo que múltiples con uno más pequeño? ¿Cuál es la capacitancia aceptable? y así sucesivamente.

Para una mejor disipación del calor o para corrientes más altas, es posible que desee aumentar su número a dos o tres del mismo modelo y lote .

    
pregunta FarO

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Creo que tendrá que replantearse un poco la idea si está utilizando los MOSFET para limitar la corriente porque, potencialmente, la carga podría ser un cortocircuito y todos los 16.4 voltios aparecerían en todo el MOSFET. En primer lugar, el área de operación segura BUK9575: -

Hecolocadounpuntorojoparaindicardóndeseubicarán20amperiosy16.4voltiosenelgráficoSOAy,claramente,eldispositivonoserácalificadoparasobrevivirmásdeunospocoscientosdemicrosegundosaestapotencia.

Porlotanto,sidecideutilizarvariosMOSFETparalelos,elsiguienteproblemaeslalocalizaciónencaliente.OlvídesedeloquedicenloslibrosdetextobásicosacercadelacorrientedeintercambiodeMOSFET;estonoocurreenaplicacioneslinealesamenosqueestéporencimadeunciertovoltajedefuentedeentradallamadovoltajeZTC(coeficientedetemperaturacero).

Ahorapuedestenersuerteconestoopuedequeno,peroparasoportar20ampsy16.4voltiosduranteunperíododetiempodecente,meparecequenecesitarás7MOSFETparalelos,cadaunoconaproximadamente3amps.

Luego,concadaMOSFETtomandoaproximadamente3amperios,elvoltajedelafuentedelacompuertaserádeaproximadamente2,4voltiosyustedseencuentraenelárea"peligrosa" de la operación MOSFET: se encuentra por debajo del punto ZTC y ocurrirán puntos calientes. Un MOSFET comenzará a dibujar más corriente que los demás y su corriente de drenaje aumentará según este gráfico: -

A25°C,con2.4voltiosdefuentedecompuerta,lacorrienteesde3amperiosycalientaelMOSFET.Lacorrientecontinúaaumentandoa4amperiosdebidoalcoeficientedetemperatura"incorrecto" cuando la tensión de la compuerta está por debajo del punto ZTC y, sin pasar mucho más tiempo, la temperatura de la unión será de 175 ° C y luego será la pendiente resbaladiza hasta el fallo. / p>

El dispositivo comenzará a saturar toda la corriente y quemará. Este es un problema bien conocido en eFuses, aplicaciones lineales y limitadores de corriente. Intente buscar en Google "inestabilidad térmica MOSFET" o "efecto Spirito" que lleva el nombre de Paulo Spirito.

Tenga en cuenta que no todos los fabricantes de MOSFET muestran una imagen completa del área de operación segura (SOA). Vishay (he descubierto) son deficientes en mostrar correctamente algunas de sus SOA de MOSFET y me han admitido en el pasado que están corrigiendo sus hojas de datos. Los MOSFET diseñados explícitamente para el cambio de cargas suelen ser los principales culpables, por lo que mi consejo es elegir un MOSFET que esté diseñado explícitamente para evitar puntos calientes. He encontrado un buen rango de IXYS y, en la página 1 de sus hojas de datos, aclaran la aplicación a la que apuntan sus MOSFET "lineales".

Un solo MOSFET sufre potencialmente de inestabilidad térmica en el área que se muestra a continuación: -

YlosfabricantesdeMOSFETnormalmentemodificanlascurvasSOAdeestamanera:-

    
respondido por el Andy aka

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