Influencia de la velocidad de conexión de la base del optoacoplador

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Estoy usando un optoacoplador 4N25 para aplicaciones de 5kHz a 10kHz. En algunas hojas de datos se mencionan los tiempos de encendido y apagado. Me pregunto si este optoacoplador es adecuado para la frecuencia de mi circuito. ¿No distorsiona mucho la salida que se supone que debe activar la compuerta de un Mosfet de potencia?

En una SE question , en la respuesta aceptada, se menciona la conexión de la base al emisor a través de una resistencia como 220k o 470k puede aumentar la velocidad de conmutación. ¿Significa que t_on y t_off disminuyen por conexión a través de R_BE? ¿Y cuánto puedo esperar para mejorar la velocidad con eso?

    
pregunta zahmati

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No, es bastante inadecuado. El contenido de la hoja de datos es de 100 \ $ \ Omega \ $, que es una carga totalmente irreal cuando se usa en un circuito simple.

Si permite un CTR del 10% (la mitad del mínimo cuando es nuevo) y coloca 10mA a través del LED, tendrá 1mA en el fototransistor. Una carga de 10 K sería razonable, por lo que los retrasos serán de decenas de microsegundos. Consulte esta hoja de datos.

Noestanmalocomoserproporcionalalaresistenciadelacarga,perosíenesadirección,porloquelacondiciónde100ohmiosenlahojadedatospodría,enelmejordeloscasos,llevaraunamalaconclusión.Podríacolocaruncircuitocomplejoalrededordelfototransistorybajaralosnúmerosdelahojadedatos(quenosonnuestrasmentiras,solosonengañosos)ylaresistenciadebasequesugierereduciráaúnmáslosnúmeros(acostadelCTR,porloqueuncircuitosimplesílohace).nobeneficio).

Lesugieroqueuseunoptoaisladordesalidalógicacomoel 6N137 o similar. Utilizan un fotodiodo internamente con un circuito sensible y rápido, que es un método mucho más adecuado para la alta velocidad. Los optoaisladores con salida de fototransistor (o fotodarlington) generalmente deben evitarse cuando la velocidad es de gran importancia.

    
respondido por el Spehro Pefhany
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Su primera pregunta puede ser respondida directamente desde los números que ha proporcionado. La velocidad más rápida que desea pasar es aparentemente de 10 kHz, que tiene un período de 100 µs, y tiempos de nivel de 50 µs para una onda cuadrada. Entonces, ¿3 µs es sustancialmente menor que 50 µs? Realmente deberías haber podido ver esto tú mismo.

Tenga en cuenta que la hoja de datos a la que se vincula solo muestra que el retraso típico es de 2 µs a una corriente de entrada de 10 mA y una carga de 100 Ω. Solo puedes adivinar cuál es el peor de los casos, pero en cualquier caso parece probable que sea una pequeña fracción de 50 µs.

Sí, puede acelerar el tiempo de apagado agregando una resistencia entre la base y el emisor del transistor de salida. Esto se produce a expensas de la tasa de transferencia actual.

    
respondido por el Olin Lathrop

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