Controlando el calentador con PWM a través de MOSFET

Es probablemente no principalmente de la inductancia.

Lo más probable es que el hecho de extraer cerca de 8 amperios de la batería tenga un efecto significativo en el voltaje de la batería, y esto cambie los umbrales de conmutación alrededor del comparador que genera la señal PWM.

Es probable que deba alimentar el LM393 y el R3 desde un suministro de ruido inferior, ya sea R-C filtrado (por ejemplo, 50 ohmios y 1000 uf) desde la batería, o quizás mejor, desde un regulador LDO de 5V (con desacoplamiento).

Puede mantener la resistencia pullup R1 conectada a la tensión total de la batería para encender el FET lo más fuerte posible, incluso con el LM393 suministrado desde 5V.

Y como los picos de voltaje exceden el voltaje de la batería, la inductancia debe tener algún efecto, por lo que definitivamente se recomienda el diodo de retorno de retorno.

Es muy probable que sea la inductancia. El mosfet se apaga muy rápido y obtienes un pico de voltaje V = L (di / dt). Esto activa la protección Zener en su mosfet y luego la corriente corre alrededor del resto de su circuito.

Un diodo de retorno podría hacer el truco.

Coloque el diodo en paralelo con el elemento calentador con el cátodo conectado al terminal positivo.

Ahora, cuando se apaga, la corriente encontrará un camino inofensivo a través del diodo.

Cuidado. El diodo se calentará con cada ciclo.

Desde su trazo de osciloscopio, el tiempo de oscilación es de aproximadamente 100us

Actual = alrededor de 10A

V de diodo con polarización directa = 0.7V

E = VIT = 700 uJ (Sé que este cálculo es trampa, probablemente menos de la mitad de esta cantidad)

P = E * F (F = frecuencia de conmutación)

si F = 1kHZ entonces P = 700mW

Para seleccionar su diodo, multiplique su potencia en vatios por su frecuencia de conmutación en kHz.

Puedo ver una falla muy significativa en su circuito: el LM393 tiene una salida de colector abierto. Por lo tanto, cuando la salida es "alta", efectivamente solo "no baja" y se extrae a través de R1 = 10k. El flujo de corriente de carga en la puerta MOSFET también se proporciona a través de R1, por lo que el encendido es extremadamente lento. Esto no es un problema para la carga ficticia de 1k, pero con una carga significativa actual, los parásitos MOSFET (por ejemplo, el efecto Miller) pueden causar problemas del tipo que observa.

Necesita modificar su circuito para cargar la compuerta MOSFET mucho más rápido a través de una ruta de baja impedancia, tal vez a través de un controlador bipolar de tótem, consulte la Nota de aplicación de TI "Guía de diseño y aplicación para circuitos de accionamiento de compuerta MOSFET de alta velocidad" (SLUP169) para referencia.

agregueunapequeñaretroalimentaciónpositiva(porresistencia)paraproporcionarunapequeñahistéresis(enelpuntoestablecidoporR3enlalíneadepuntosdelaformadedientedesierra

porejemplo,resistencia10MBentreelnodo3y1U1comentariospositivosparahisterese:fluctuaciónseguraenlafuentedealimentación(batería)

agregardiodo+filtroRCenlafuenteR3

elcambiodevoltajedelabateríaestableceotropuntodecambioenR3ygeneraunQ1

yenelcircuitoderetroalimentaciónpositivaresultanteporsuministro-frecuenciadeoscilación

(losientoporelidioma)

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