La corriente de saturación es uno de los parámetros en el modelo Ebers Moll, pero no puedo encontrarla en hojas de datos. Exploro las hojas de datos SC1627 y BC856. ¿Cómo encontrarlo?
A diferencia de ¿Cómo saturo un NPN? ¿transistor? Quiero saber la influencia de la corriente de saturación para el valor de la corriente del colector en condiciones reales de acuerdo con el modelo Ebers Moll
La forma más fácil de encontrar números razonables para los parámetros de Ebers-Moll es mirar los modelos SPICE existentes.
Por ejemplo, el BC856 ISC = 1.633E-14 ( modelo NXP ).
ISC es la corriente de saturación del colector base.
También hay IS corriente de saturación de transporte y ISE corriente de saturación de fugas del emisor de base.
La obtención de un modelo razonablemente preciso a partir de una hoja de datos BJT no es trivial. Puede encontrar una descripción bastante extensa aquí .
No puedes encontrarlo porque no hay una "saturación actual" en un real BJT. Habrá muchos parámetros de modo en un modelo Ebers-Moll que no podrá encontrar en una hoja de datos.
También tenga en cuenta que no hay un punto fijo en el que un BJT entre / salga repentinamente de la saturación. Es más de una cosa gradual. Este comportamiento no está en el modelo Ebers-moll.
Es lo mismo con los diodos, ya sabes la fórmula para un diodo, supongo, tiene esta corriente \ $ Is \ $. No está en ninguna hoja de datos. Además, si intenta medirlo, verá que varía en casi todo, como la corriente directa, las dopadas del diodo, la temperatura y todo lo demás. Lo que usted hace en la práctica es asumir un cierto valor para \ $ Is \ $, de modo que obtengamos un voltaje directo realista a una cierta corriente directa.
Probablemente sea lo mismo con esa corriente de saturación en el modelo Ebers-Moll. Al modelar un transistor, lo modificamos de manera que proporcione un transistor que tenga un comportamiento realista.
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