¿Cómo puedo calcular la corriente de base de un transistor para obtener un voltaje de colector-emisor específico?

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Para este circuito, me piden que calcule cuánta corriente de base necesito suministrar al transistor para obtener un Vce = 220.745 mV. Lo que me tiene atrapado en esto es que el problema no me proporciona un valor (betha).

¿Hay una manera de calcular la corriente base sin (betha)?

Si no, usaré (betha) como 100, ya que el problema me dice que use un Vce I calculado en un problema anterior usando (betha adelante) como 100 y (betha inverso) como 0.01. Como puede ver, ya calculé la corriente del colector (Ic) usando KVL. Dado que el voltaje de saturación del colector-emisor es de aproximadamente 0.2 V, asumo que mi transistor está en saturación.

Cuando el transistor está en saturación, ¿Ic = (betha) (Ib) todavía se aplica?

Realmente agradecería tu respuesta :)

    
pregunta Rodolfo David

1 respuesta

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Existe un método para determinar el voltaje de saturación \ $ v_ {CESAT} \ $ para una corriente dada \ $ i_B \ $. Con algunas suposiciones para la ganancia actual de avance y retroceso \ $ \ beta_F \ $ y \ $ \ beta_R \ $, podemos determinar el \ $ i_B \ $ actual a partir del voltaje de saturación \ $ v_ {CE} \ $.

He referenciado el capítulo 5 página 233 en Diseño de circuitos microelectrónicos por Jaeger y Blalock ISBN 978-0-07-319163-8

Suponga que ambas uniones están sesgadas hacia adelante. (Esto es necesario para aproximar \ $ i_B \ $ y \ $ i_C \ $ para llegar a esta ecuación).

\ $ v_ {CESAT} = V_Tln ( \ frac {1} {\ alpha_R} \ frac {1+ \ frac {i_C} {(\ beta_R + 1) i_B}}      {1- \ frac {i_C} {\ beta_Fi_B}}) \ $ para \ $ i_B > \ frac {i_C} {\ beta_F} \ $
Esta ecuación solo es válida en la condición en que \ $ i_B > \ frac {i_C} {\ beta_F} \ $

  

Esta ecuación es importante y muy útil en el diseño de circuitos de conmutación digital saturados. Para un valor dado de la corriente del colector, [esto] se puede usar para determinar la corriente base requerida para lograr un valor deseado de \ $ v_ {CESAT} \ $.

Con \ $ V_ {CE} < 0.7V \ $, se puede suponer que la operación está en la región de saturación directa. Para su situación con \ $ V_ {CE} = 220.745mV \ $, podemos simplificar a \ $ 6835 = \ frac {1} {\ alpha_R} \ frac {1+ \ frac {i_C} {(\ beta_R + 1) i_B}}      {1- \ frac {i_C} {\ beta_Fi_B}} \ $

Pero, todavía necesitamos saber \ $ \ beta_R, \ beta_F, \ $ y \ $ \ alpha_R = \ frac {1} {\ beta_R + 1} \ $

Al elegir arbitrariamente, y dentro de lo razonable, \ $ \ beta_F = 50 \ $ y \ $ \ beta_R = 1 \ $ podemos resolver para
\ $ i_B = 0.39414mA \ $ con \ $ i_B > \ frac {i_C} {\ beta_F} = 0.39116mA \ $
Y con un \ $ \ beta_F = 100 \ $ igualmente razonable, encontramos
\ $ i_B = 0.19850mA \ $ con \ $ i_B > \ frac {i_C} {\ beta_F} = 0.19558mA \ $

Eso es genial y todo, pero ¿cómo sabemos que estos resultados tienen sentido? Si está computando \ $ V_ {CESAT} \ $, espera un valor pequeño cercano a cero, incluso \ $ 0.06V \ $ es razonable. Al volver a conectar las corrientes a la ecuación original, en ambos casos se obtiene \ $ 0.220745V \ $

Algunos métodos para verificar el trabajo no se pueden usar sin un valor para \ $ I_S \ $. También tenga en cuenta que la ecuación anterior es independiente de \ $ I_S \ $.
Nota final, el trabajo anterior se realizó suponiendo que el transistor npn , pero también se puede calcular pnp .

    
respondido por el Jaden

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