Tabla de verdad al diagrama del transistor y expersión booleana al diagrama del transistor

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Estoy teniendo un pequeño problema, haciendo diagramas a nivel de transistores basados en tablas de verdad y expresiones booleanas.

Estaba haciendo un problema para el que entiendo la primera parte, pero no estoy seguro de cómo hacer la segunda parte.

Dada la tabla de verdad

ABC | Salida

0 0 0 | 0
0 0 1 | 0
0 1 0 | 1
0 1 1 | 1
1 0 0 | 0
1 0 1 | 0
1 1 0 | 1
1 1 1 | 0

Construí el diagrama de nivel de transistor

Me siento bastante cómodo con esto, sin embargo, en la siguiente parte estoy perplejo

Me dan la expresión AB'C '+ A'B'C + A'BC' + AB'C a la que he simplificado

AB '+ B'C + A'BC' Ahora, ¿cómo construiría el diagrama de nivel de transistor desde aquí? Lo único que se me ocurre es construir una tabla de verdad, pero ¿hay alguna forma más fácil / rápida?

    
pregunta Learn

1 respuesta

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Como ya sabe, usa la parte superior de la estructura (de Vout a Vcc) para establecer los 1 y la parte inferior de la estructura (de Vout a Vss) para configurar los 0.

Puedes hacer esto directamente desde la expresión de la función. Por ejemplo, digamos que su función es F = A · B * + C. He elegido una función diferente (y más corta) para una ilustración más sencilla del método.

La parte superior es fácil (A y B * en serie para AND) y C en paralelo (para la parte OR). Las variables entran negadas en la puerta de PMOS, porque el PMOS se pondrá en ON para 0 V (y no 5 V).

simular este circuito : esquema creado usando CircuitLab

Entonces la parte inferior debe implementar los 0. Recordando el teorema de De Morgan, al negar F, AND se convierte en OR y viceversa. Aplicando a nuestra función: obtendremos F * = (A * + B) · C *

Por lo tanto, en la parte inferior tenemos A * y B que están en paralelo mientras que C está en serie. Las variables no entran negadas en las puertas de NMOS porque NMOS se enciende para 5V.

Este método se puede aplicar también a su función original, ¡solo necesita mucho más espacio!

    
respondido por el Roger C.

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