La sabiduría habitual sobre los diodos Schottky es que su \ $ V_f \ $ es de aproximadamente 0,2 a 0,3 voltios, pero ¿qué determina esto específicamente?
Sé que para los diodos p-n, la concentración de dopaje puede afectar el voltaje directo. ¿Esto también es cierto para los diodos de Schottky? Obviamente, en algún momento tienes una unión óhmica no rectificadora, pero tienes un rango de posibles concentraciones de dopantes por debajo de ese punto.
¿Qué pasaría si hicieras un diodo Schottky con germanio en lugar de silicio? Los diodos p-n de germanio tienen un voltaje directo mucho más bajo que los diodos p-n de silicio, por lo que un diodo Schottky de germanio tendría un voltaje directo más bajo que un diodo Schottky de silicio. ¿Qué pasa con un diodo Schottky de SiC, sería más alto?
¿La elección del metal para la unión metal-semiconductor es importante? ¿El voltaje directo está relacionado con la función de trabajo del metal?