Quiero usar un NMOS como un resistor de entrada variable para un amplificador inversor. La fuente está conectada a tierra virtual y el drenaje está conectado a la entrada. Necesito acomodar tensiones de drenaje de entrada tanto positivas como negativas. Sé que el requisito de NMOS para la operación de triodo es:
Vds < Vgs-Vth
Esto funciona para Vds > 0 .... pero quiero que la resistencia variable funcione incluso para Vds < 0. El NMOS aún funciona como una resistencia controlada por voltaje para voltajes negativos de drenaje, siempre y cuando el diodo del cuerpo no tenga polarización directa. Así que necesito un gran potencial de barrera para garantizar que el diodo no conduzca.
En este momento, mi solución es utilizar múltiples NMOS en serie, pero ¿hay alguna manera de modificar los parámetros y la geometría de NMOS para aumentar el potencial de barrera del diodo?