Es una pregunta simple pero no pude encontrar una respuesta directa.
Cuando un MOSFET ingresa a la región de saturación, la longitud del canal comienza a disminuir, y el ancho del canal es el más pequeño cerca del drenaje (asumiendo un flujo de corriente convencional desde el drenaje a la fuente). Este ancho de canal más pequeño hace que la densidad de la corriente aumente, y por lo tanto, ahora existe un campo eléctrico fuerte entre el extremo más delgado del canal y el drenaje.
Este fuerte campo eléctrico puede ayudar al movimiento de los portadores de carga y, por lo tanto, permitir la conducción. ¿Pero es este campo eléctrico el único factor que soporta la conducción en la región de saturación? Si es así, ¿cómo esta conducción casi sin la presencia de un canal (para una pequeña distancia) no aumenta la resistencia en estado?