Estaba leyendo eso para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia con semiconductores, la proporción de la movilidad de electrones a huecos debería ser alta.
¿Por qué es así? ¿Es una condición necesaria siempre? O solo uno de los muchos posibles. unos?
Según mi entendimiento básico, para aplicaciones de alta conmutación, tomar la El caso más simple de un diodo, el tiempo de recuperación inversa debe depender de la tiempo que los portadores minoritarios en cada lado del cruce toman para volver a la lado opuesto en la aplicación de un sesgo inverso de un estado de polarización directa. Ahora, un escenario como ese idealmente querría tanto la movilidad de los electrones como la Agujeros para ser alto.
Lo que inferí de esta condición es también que esto requiere que el La diferencia entre la movilidad de los electrones y la movilidad del agujero debe ser alta. suficiente para que la relación sea apreciable.
Cualquier información sobre esto sería útil.