Estoy probando la curva I V del mosfet en LTSpice
Obtengo resultados extraños cuando el componente 'NMOS' estándar tiene polarización inversa, (cuando la fuente es más positiva que el drenaje) obtengo tera-amperios que fluyen hacia el dren y mili-amperios fuera de la fuente, no hay corriente en la puerta
¿Esto se debe a que el modelo para el MOSFET está incompleto y solo funciona para el cuadrante I V positivo, o podría haber algún tipo de error en el software?
Lo más probable es que observe el comportamiento del diodo del cuerpo que se desvía hacia adelante.
Está viendo este comportamiento porque está inclinando hacia adelante el diodo del cuerpo Y la fuente de energía que está utilizando para la rampa de -10V a + 10V se ha dejado configurada en su resistencia de fuente predeterminada de 0 ohmios.
No hay ningún error aquí. Coloque un diodo inclinado hacia adelante a través de una fuente de alimentación que pueda suministrar una corriente ilimitada a cualquier voltaje que haya elegido y hará todo lo posible por cumplir.
Ahora, por supuesto, no hay una fuente de alimentación práctica que realmente pueda hacer eso, así que configure el Rser (Resistencia en serie parásita) si la fuente y las cosas se vuelven mucho más realistas. Intenté tu experimento con Rser = 0.25 ohms y vi una corriente más como 40A. Así que si pones el N-FET en algo como una batería de coche de 12 V de alta energía, aún podrías esperar que se apague.
Tenga en cuenta que el modelo genérico para el N-FET modela el diodo del cuerpo como un diodo ideal sin resistencia en serie. Seleccione un modelo para algún componente real y debería ver una diferencia. En mi experiencia, algunos de los modelos N-FET tienen la configuración de diodo corporal con una resistencia en serie efectiva y algunos tienen un comportamiento de diodo ideal de resistencia en serie de 0 ohm.