¿Cuál es la diferencia entre 1N4001 y 1N4007 aparte de su voltaje inverso máximo?

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Comparé diodos 1N400x aquí . Por lo que veo, todas sus propiedades son iguales aparte de sus voltajes máximos de inversión.

Sus

  • corriente máxima
  • tiempo de recuperación
  • corriente de fuga inversa
  • capacitancia

son los mismos.

Parece que 1N4007 es la versión super de todos los demás diodos 1N400x. Entonces, ¿por qué uno produciría diodos 1N4001 ... 1N4006, y por qué uno los compraría? Si 1N4007 hace el trabajo solo, entonces ¿por qué las otras versiones aún están en el mercado?

    
pregunta hkBattousai

5 respuestas

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Las respuestas de @Vasiliy y @johnfound son incorrectas. Los diodos 1N400x no son todos idénticos excepto por variaciones de fabricación "accidentales".

Los

diodos con niveles de tensión inversa más altos se intencionadamente fabricados con dopaje más ligero, de modo que la región de agotamiento para una tensión inversa determinada sea más amplia de lo que sería. La desventaja de un dopaje más ligero es que la resistencia directa y la caída de voltaje para un diodo de alto voltaje son más altas de lo que serían para un diodo de menor voltaje.

Por lo tanto, puede usar un 1N4007 para todas sus aplicaciones, pero la eficiencia de su circuito será ligeramente mayor si usa un diodo con la clasificación más apropiada en aplicaciones de bajo voltaje.

    
respondido por el Dave Tweed
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Debido a las variaciones del proceso, los dispositivos semiconductores fabricados pueden tener características diferentes. Muchos fabricantes emplean la estrategia " binning " para las piezas fabricadas: prueban las piezas y las dividen entre varias "bandejas" basadas en dispositivos ' actuación. Una vez que hagan esto, podrán vender los dispositivos con mejor rendimiento por más dinero.

Estoy completamente seguro de que la estrategia de agrupación se emplea para 1N400x, pero no puedo decir cuántos conjuntos se produjeron inicialmente. Mi conjetura es 2 grupos, de los cuales se derivaron 7 contenedores. Esta conjetura se basa en el hecho de que los datos para la capacidad de unión típica en la hoja de datos tienen dos regiones. Incluso si tengo razón sobre este fabricante, la cantidad de grupos puede ser específica del fabricante.

La diferencia entre estos diodos es principalmente su voltaje de ruptura inversa. Hay muchos más parámetros que difieren; parte de las diferencias se mencionan en la hoja de datos (como la capacitancia de la unión mencionada anteriormente), otras no. En general, la relación x20 en voltajes de ruptura inversa (entre 1N4001 y 1N4007) refleja las principales diferencias en las propiedades de las uniones. Estas propiedades deben afectar a casi cualquier parámetro eléctrico del diodo.

Los fabricantes tienden a representar que estos diodos tienen exactamente las mismas propiedades porque las diferencias muy finas no son importantes para las principales áreas de empleo de estos diodos. Hay aplicaciones que requieren más precisión.

La gente dice que también hay aplicaciones que aprovechan la ruptura inversa de los diodos. En estas aplicaciones, es posible que desee elegir un voltaje de ruptura adecuado. Aunque no sé los detalles.

Mi conjetura es que hace años, cuando se introdujeron estos diodos y los procesos de semiconductores no estaban maduros, las diferencias entre diodos diferentes eran más pronunciadas.

Summary:

Si el precio es el mismo y utiliza estos diodos en aplicaciones "estándar" (como la rectificación de baja frecuencia), puede usar cualquiera de ellos siempre que satisfaga sus requisitos de voltaje de ruptura inversa. Si planea usarlos para algo más sensible, es posible que desee probarlos todos para ver cuál se adapta mejor.

    
respondido por el Vasiliy
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Parece que hay dos tipos de diodos fundamentalmente diferentes vendidos como 1N4001..1N4007. El primer tipo es un diodo convencional y se vende como 1N4001..1N4005. No hay desventaja (excepto el precio posible) en el uso de diodos 1N4005 para todo. En mi experiencia, la diferencia de precio es muy nominal o inexistente en grandes cantidades; por ejemplo, en el precio de 100k, Digikey enumera ambos a $ 11.20 / k a partir de este escrito.

El segundo tipo es una construcción de PIN y se usa para 1N4006 y 1N4007.

1N4006-1N4007 tiene peor tiempo de recuperación hacia adelante y hacia atrás. También tienen una menor capacitancia de la unión en todos los voltajes de polarización inversa (por ejemplo, 10pF vs. 15pF a -10V). Para conocer las curvas reales que ilustran la diferencia, consulte los libros de datos de la Biblioteca de Semiconductores de Motorola. Por ejemplo:

Para la rectificación de 50/60 Hz hay una pequeña diferencia sustancial, y no hay diferencia en el voltaje directo a una corriente dada.

En los tiempos modernos probablemente usaríamos un tipo diferente de diodo a frecuencias más altas (en una onda sinusoidal de unos pocos kHz o quizás sinusoidal de 5 kHz), por lo que las diferencias ya no son tan importantes, pero algunas personas han introducido los tipos de PIN Servicio de RF.

    
respondido por el Spehro Pefhany
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Seguro que me gusta la respuesta de Spehro Pefhany, pero en las hojas de datos de hoy, muchos ya no mencionan diferencias ... enlace

enlace

enlace

enlace

The Diodes Inc. versión original tiene esta diferencia, donde la capacidad de unión es < em> peor para las versiones de voltaje más bajo ...

Perosontodos8pFenlasnuevas versiones 1N400xG ...

Parece que ya no hay diferencia perceptible, aparte de que muchas listas de materiales tienen diferentes versiones especificadas, por lo que cada MFR sigue ofreciendo cada versión.

    
respondido por el SolderFumes
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Todos estos son el mismo diodo. La tecnología de semiconductores no es tan precisa, por lo que los diodos producidos en un ciclo tecnológico son diferentes. Después de la clasificación se marcan respectivamente. Es una práctica común no solo para diodos.

Además, a veces (no muy a menudo) hay esquemas en los que el diodo funciona en modo de descomposición por avalancha, por lo que necesitará que la tensión de ruptura sea predecible.     

respondido por el johnfound

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